
Alpha and Omega Semiconductor,Inc.(简称AOS)是一家设计、开发和全球供应各种功率半导体的公司,包括一系列功率MOSFET和功率IC产品。AOS通过整合其在设备物理、工艺技术、设计和先进封装方面的专业知识来优化产品性能和成本,力求与众不同,其产品组合旨在满足高容量应用中不断增长的能效要求,包括便携式计算机、平板电视、电池组、,便携式媒体播放器和电源。
图片  | 品牌型号  | 描述  | 价格  | 库存  | 交期  | 数量  | 操作  | 
|---|---|---|---|---|---|---|---|
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)   | ¥2.37857  | 30 | 2-3 工作日  | -  +  合计: ¥7,135.70400  | 立即购买  加入购物车  | ||
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6A (Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)   | ¥2.07944  | 0 | 5-7 工作日  | -  +  合计: ¥6,238.31100  | 添加到BOM  立即询价  | ||
场效应管类型: 2 N通道(双通道)不对称 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 19A、26A 供应商设备包装: 8-DFN (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)   | ¥8.11205  | 0 | 5-7 工作日  | -  +  合计: ¥8.11205  | 添加到BOM  立即询价  | ||
场效应管类型: 2 N通道(双)公共漏极 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 10A 供应商设备包装: 6-DFN-EP (2x5) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)   | ¥1.68151  | 8049 | 2-3 工作日  | -  +  合计: ¥8,407.56000  | 立即购买  加入购物车  | ||
场效应管类型: 2 N通道(双通道)不对称 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 55A (Tc), 85A (Tc) 供应商设备包装: 8-DFN (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)   | ¥4.96356  | 0 | 5-7 工作日  | -  +  合计: ¥14,890.67700  | 添加到BOM  立即询价  | ||
场效应管类型: 2 N通道(双通道)不对称 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 18.5A(Ta)、49A(Tc)、27A(Ta 供应商设备包装: 8-DFN (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)   | ¥8.11205  | 0 | 5-7 工作日  | -  +  合计: ¥8.11205  | 添加到BOM  立即询价  | ||
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.3A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)   | ¥5.07003  | 1 | 5-7 工作日  | -  +  合计: ¥5.07003  | 添加到BOM  立即询价  | ||
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 9.5A (Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)   | ¥8.76391  | 0 | 5-7 工作日  | -  +  合计: ¥8.76391  | 添加到BOM  立即询价  | ||
场效应管类型: 2 N通道(双通道),肖特基 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A (Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)   | ¥5.41769  | 9000 | 5-7 工作日  | -  +  合计: ¥5.41769  | 添加到BOM  立即询价  | ||
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 34A (Tc) 供应商设备包装: 8-DFN (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)   | ¥10.73398  | 9000 | 5-7 工作日  | -  +  合计: ¥10.73398  | 添加到BOM  立即询价  | ||
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 900毫安 供应商设备包装: SC-70-6 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)   | ¥0.83974  | 0 | 5-7 工作日  | -  +  合计: ¥5,038.45200  | 添加到BOM  立即询价  | ||
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2A 供应商设备包装: 6-DFN (2x2) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)   | ¥1,233.13270  | 9000 | 5-7 工作日  | -  +  合计: ¥1,233.13270  | 添加到BOM  立即询价  | ||
场效应管类型: 2 N通道(半桥) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 17A、30A 供应商设备包装: 8-DFN (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)   | ¥9.92277  | 9000 | 5-7 工作日  | -  +  合计: ¥9.92277  | 添加到BOM  立即询价  | ||
场效应管类型: 2 N通道(半桥) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 22A、30A 供应商设备包装: 8-DFN (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)   | ¥6.53310  | 9000 | 5-7 工作日  | -  +  合计: ¥6.53310  | 添加到BOM  立即询价  | ||
场效应管类型: 2 N通道(双)公共漏极 场效应管特性: 标准 供应商设备包装: 6-DFN (3.05x1.77) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)   | ¥6.35927  | 9000 | 5-7 工作日  | -  +  合计: ¥6.35927  | 添加到BOM  立即询价  | ||
场效应管类型: 2 N通道(半桥) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 24A、42A 供应商设备包装: 8-DFN (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)   | ¥4.33125  | 9000 | 5-7 工作日  | -  +  合计: ¥4.33125  | 添加到BOM  立即询价  | ||
场效应管类型: 2 N通道(双通道)不对称 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 55A (Tc), 85A (Tc) 供应商设备包装: 8-DFN (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)   | ¥5.82329  | 0 | 5-7 工作日  | -  +  合计: ¥17,469.87600  | 添加到BOM  立即询价  | ||
场效应管类型: 2 N通道(双)公共漏极 场效应管特性: 标准 供应商设备包装: 6-DFN (2.7x1.8) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)   | ¥5.98264  | 9000 | 5-7 工作日  | -  +  合计: ¥5.98264  | 添加到BOM  立即询价  | ||
场效应管类型: 2 N通道(半桥) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 22A、30A 供应商设备包装: 8-DFN (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)   | ¥7.51813  | 9000 | 5-7 工作日  | -  +  合计: ¥7.51813  | 添加到BOM  立即询价  | ||
MOSFET ASYMMETRIC 2N-CH 30V DFN   | ¥7.90925  | 9000 | 5-7 工作日  | -  +  合计: ¥7.90925  | 添加到BOM  立即询价  |