品牌介绍
自1974年以来，Central Semiconductor一直在全球制造用于电子产品的创新分立半导体。目前，设备包括标准和定制小信号晶体管、双极功率晶体管、MOSFET、二极管、整流器、保护设备、限流二极管、桥式整流器、晶闸管和碳化硅设备。Central的设备有行业标准的表面贴装和通孔封装、裸模、TLM（微型无铅模块&trade；），和MDMs（多离散模块&trade；）。Central作为一家始终按时交付最高质量产品的制造商，以及一家提供卓越增值服务的供应商，赢得了声誉。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | THROUGH-HOLE UJT | ¥179.92578 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥179.92578 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | THROUGH-HOLE UJT | ¥58.07420 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥58.07420 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 击穿电压（V（BR）GSS）: 25伏 最大功率: 310 mW 供应商设备包装: TO-92-3 工作温度: -65摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥196.82877 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥196.82877 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 击穿电压（V（BR）GSS）: 40伏 最大功率: 310 mW 供应商设备包装: TO-92-3 工作温度: -65摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥88.33111 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥88.33111 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 击穿电压（V（BR）GSS）: 30伏 最大功率: 500 mW 电阻-RDS(On): 150欧姆 供应商设备包装: TO-18 工作温度: -65摄氏度~200摄氏度（TJ） | ¥56.63021 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥56.63021 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 击穿电压（V（BR）GSS）: 40伏 电阻-RDS(On): 100欧姆 供应商设备包装: Die 工作温度: -65摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥59.62500 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥59.62500 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 击穿电压（V（BR）GSS）: 30伏 供应商设备包装: Die 工作温度: -65摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥222.20337 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥222.20337 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | JFET N-CH TO-92 | ¥126.19015 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥126.19015 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 击穿电压（V（BR）GSS）: 35伏 最大功率: 350毫瓦 电阻-RDS(On): 50 Ohms 供应商设备包装: TO-92-3 工作温度: -65摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥181.12813 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥181.12813 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 击穿电压（V（BR）GSS）: 30伏 最大功率: 350毫瓦 电阻-RDS(On): 125欧姆 供应商设备包装: TO-92-3 工作温度: -65摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥106.99210 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥106.99210 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 场效应管类型: P-通道 击穿电压（V（BR）GSS）: 20伏 最大功率: 360毫瓦 供应商设备包装: TO-92 工作温度: -65摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥233.14634 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥233.14634 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | SCR | ¥30.25629 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥30.25629 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | SCR | ¥129.41237 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥129.41237 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 场效应管类型: n通道 击穿电压（V（BR）GSS）: 30伏 最大功率: 360毫瓦 电阻-RDS(On): 25欧姆 供应商设备包装: TO-18 工作温度: -65摄氏度~200摄氏度（TJ） | ¥107.29866 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥107.29866 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | SCR | ¥95.76562 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥95.76562 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 击穿电压（V（BR）GSS）: 30伏 最大功率: 300毫瓦 供应商设备包装: TO-18 | ¥111.64797 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥111.64797 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 击穿电压（V（BR）GSS）: 50 V 最大功率: 325毫瓦 供应商设备包装: TO-18 工作温度: -65摄氏度~200摄氏度（TJ） | ¥83.46428 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥83.46428 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 击穿电压（V（BR）GSS）: 30伏 最大功率: 500 mW 电阻-RDS(On): 100欧姆 供应商设备包装: TO-18 工作温度: -65摄氏度~200摄氏度（TJ） | ¥203.27817 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥203.27817 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 击穿电压（V（BR）GSS）: 30伏 最大功率: 360毫瓦 电阻-RDS(On): 375 Ohms 供应商设备包装: TO-92-3 工作温度: -65摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥175.29600 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥175.29600 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 最大功率: 350毫瓦 电阻-RDS(On): 40欧姆 供应商设备包装: TO-18 工作温度: -65摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥73.82224 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥73.82224 | 添加到BOM 立即询价 |