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品牌介绍

Vishay的产品组合是无可匹敌的分立半导体(二极管、MOSFET和光电子)和无源元件(电阻器、电感器和电容器)的集合。这些组件几乎用于工业、计算、汽车、消费者、电信、军事、航空航天和医疗市场的所有类型的电子设备和设备。Vishay很自豪能成为Digi Key的主要合作伙伴。

英文全称: Vishay General Semiconductor - Diodes Division

中文全称: 威世二极管

英文简称: Vishay General

品牌地址: http://www.vishay.com/company/brands/semiconductors/

久芯自营
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品牌型号
描述
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操作
BZX84C4V7-HE3-18
BZX84C4V7-HE3-18
标称齐纳电压 (Vz): 4.7伏 最大功率: 300毫瓦 公差: ±5% 供应商设备包装: SOT-23-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度

¥0.24242

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,424.20000

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1N5238B-TAP
1N5238B-TAP
标称齐纳电压 (Vz): 8.7 V 最大功率: 500 mW 公差: ±5% 供应商设备包装: DO-35(DO-204AH) 工作温度: 175摄氏度

¥0.17209

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥5,162.73000

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MMSZ5254C-E3-08
MMSZ5254C-E3-08
标称齐纳电压 (Vz): 27伏 最大功率: 500 mW 公差: ±2% 供应商设备包装: SOD-123 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度

¥2.53502

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.53502

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BZT55C68-GS18
BZT55C68-GS18
标称齐纳电压 (Vz): 68 V 最大功率: 500 mW 公差: ±5% 供应商设备包装: SOD-80 QuadroMELF 工作温度: -65摄氏度~175摄氏度

¥0.21265

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,126.52000

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MMBZ5234B-E3-08
MMBZ5234B-E3-08
标称齐纳电压 (Vz): 6.2 V 最大功率: 225毫瓦 公差: ±5% 供应商设备包装: SOT-23-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度

¥0.21671

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥3,250.62000

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BZX84C51-HE3-18
BZX84C51-HE3-18
标称齐纳电压 (Vz): 51 V 最大功率: 300毫瓦 公差: ±5% 供应商设备包装: SOT-23-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度

¥0.24242

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,424.20000

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1N5244B-TAP
1N5244B-TAP
标称齐纳电压 (Vz): 14伏 最大功率: 500 mW 公差: ±5% 供应商设备包装: DO-35(DO-204AH) 工作温度: 175摄氏度

¥0.17209

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥5,162.73000

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MMSZ5256C-E3-08
MMSZ5256C-E3-08
标称齐纳电压 (Vz): 30伏 最大功率: 500 mW 公差: ±2% 供应商设备包装: SOD-123 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度

¥2.53502

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.53502

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TZQ5248B-GS18
TZQ5248B-GS18
标称齐纳电压 (Vz): 18伏 最大功率: 500 mW 公差: ±5% 供应商设备包装: SOD-80 QuadroMELF 工作温度: -65摄氏度~175摄氏度

¥0.22757

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,275.72000

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BZT55C6V2-GS18
BZT55C6V2-GS18
标称齐纳电压 (Vz): 6.2 V 最大功率: 500 mW 公差: ±5% 供应商设备包装: SOD-80 QuadroMELF 工作温度: -65摄氏度~175摄氏度

¥0.21265

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,126.52000

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MMBZ5242B-E3-08
MMBZ5242B-E3-08
标称齐纳电压 (Vz): 12伏 最大功率: 225毫瓦 公差: ±5% 供应商设备包装: SOT-23-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度

¥0.21671

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥3,250.62000

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1N5247B-TAP
1N5247B-TAP
标称齐纳电压 (Vz): 17伏 最大功率: 500 mW 公差: ±5% 供应商设备包装: DO-35(DO-204AH) 工作温度: 175摄氏度

¥0.17209

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥5,162.73000

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BZM55B4V3-TR
BZM55B4V3-TR
标称齐纳电压 (Vz): 4.3伏 最大功率: 500 mW 供应商设备包装: MicroMelf 工作温度: -65摄氏度~175摄氏度

¥2.53502

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.53502

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BZT55C6V8-GS18
BZT55C6V8-GS18
标称齐纳电压 (Vz): 6.8 V 最大功率: 500 mW 公差: ±5% 供应商设备包装: SOD-80 QuadroMELF 工作温度: -65摄氏度~175摄氏度

¥0.21265

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,126.52000

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MMBZ5230B-E3-08
MMBZ5230B-E3-08
标称齐纳电压 (Vz): 4.7伏 最大功率: 225毫瓦 公差: ±5% 供应商设备包装: SOT-23-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度

¥1.66587

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.66587

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BZX84C5V1-HE3-18
BZX84C5V1-HE3-18
标称齐纳电压 (Vz): 5.1 V 最大功率: 300毫瓦 公差: ±5% 供应商设备包装: SOT-23-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度

¥0.24242

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,424.20000

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TZM5235B-GS08
TZM5235B-GS08
标称齐纳电压 (Vz): 6.8 V 最大功率: 500 mW 公差: ±5% 供应商设备包装: SOD-80 MiniMELF 工作温度: 175摄氏度

¥1.73830

892

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.73830

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1N5249B-TAP
1N5249B-TAP
标称齐纳电压 (Vz): 19伏 最大功率: 500 mW 公差: ±5% 供应商设备包装: DO-35(DO-204AH) 工作温度: 175摄氏度

¥0.17209

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥5,162.73000

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BZM55B9V1-TR
BZM55B9V1-TR
标称齐纳电压 (Vz): 9.1 V 最大功率: 500 mW 供应商设备包装: MicroMelf 工作温度: -65摄氏度~175摄氏度

¥2.53502

2

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.53502

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BZX84C62-HE3-18
BZX84C62-HE3-18
标称齐纳电压 (Vz): 62 V 最大功率: 300毫瓦 公差: ±5% 供应商设备包装: SOT-23-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度

¥0.24242

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,424.20000

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