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品牌介绍

东芝电子设备和存储公司提供了一系列支持技术解决方案,使OEM、ODM、CMs和无晶圆厂芯片公司能够为计算、网络、通信、数字消费、汽车和其他市场开发先进的集成产品。

英文全称: Toshiba Semiconductor and Storage

中文全称: 东芝

英文简称: Toshiba

品牌地址: http://www.toshiba.com/taec/

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描述
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RN2901,LXHF(CT
RN2901,LXHF(CT
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 200mW 特征频率: 200MHz 供应商设备包装: US6

¥3.31793

0

5-7 工作日

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合计: ¥3.31793

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RN4988,LXHF(CT
RN4988,LXHF(CT
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 200mW 特征频率: 250MHz、200MHz 供应商设备包装: US6

¥3.31793

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.31793

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RN4981,LXHF(CT
RN4981,LXHF(CT
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 200mW 特征频率: 250MHz、200MHz 供应商设备包装: US6

¥3.31793

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.31793

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RN2910,LXHF(CT
RN2910,LXHF(CT
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 200mW 特征频率: 200MHz 供应商设备包装: US6

¥3.31793

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5-7 工作日

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合计: ¥3.31793

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RN4603(TE85L,F)
RN4603(TE85L,F)
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 特征频率: 200MHz、250MHz 供应商设备包装: SM6

¥0.54602

100

2-3 工作日

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合计: ¥0.54602

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RN1711JE(TE85L,F)
RN1711JE(TE85L,F)
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 100mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: ESV

¥1.39281

100

2-3 工作日

- +

合计: ¥5,571.24400

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RN4911,LXHF(CT
RN4911,LXHF(CT
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 100mW 特征频率: 200MHz、250MHz 供应商设备包装: US6

¥3.31793

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.31793

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RN4989,LXHF(CT
RN4989,LXHF(CT
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 200mW 特征频率: 250MHz、200MHz 供应商设备包装: US6

¥3.31793

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.31793

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RN4909,LXHF(CT
RN4909,LXHF(CT
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 200mW 特征频率: 200MHz、250MHz 供应商设备包装: US6

¥3.31793

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.31793

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RN1962TE85LF
RN1962TE85LF
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 500mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: US6

¥0.45874

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5-7 工作日

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合计: ¥1,376.22000

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RN2907,LXHF(CT
RN2907,LXHF(CT
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 200mW 特征频率: 200MHz 供应商设备包装: US6

¥3.31793

0

5-7 工作日

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合计: ¥3.31793

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RN2908,LXHF(CT
RN2908,LXHF(CT
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 200mW 特征频率: 200MHz 供应商设备包装: US6

¥3.31793

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.31793

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RN1973(TE85L,F)
RN1973(TE85L,F)
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 200mW 供应商设备包装: US6

¥0.64224

3000

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合计: ¥1,926.71100

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RN1971TE85LF
RN1971TE85LF
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 200mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: US6

¥0.45874

0

5-7 工作日

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合计: ¥1,376.22000

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RN4903,LXHF(CT
RN4903,LXHF(CT
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 200mW 特征频率: 200MHz、250MHz 供应商设备包装: US6

¥3.31793

0

5-7 工作日

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合计: ¥3.31793

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RN4904,LXHF(CT
RN4904,LXHF(CT
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 200mW 特征频率: 200MHz、250MHz 供应商设备包装: US6

¥3.31793

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.31793

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RN4905,LXHF(CT
RN4905,LXHF(CT
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 200mW 特征频率: 200MHz、250MHz 供应商设备包装: US6

¥3.31793

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.31793

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RN2903,LXHF(CT
RN2903,LXHF(CT
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 200mW 特征频率: 200MHz 供应商设备包装: US6

¥3.31793

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5-7 工作日

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合计: ¥3.31793

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RN4983,LXHF(CT
RN4983,LXHF(CT
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 200mW 特征频率: 250MHz、200MHz 供应商设备包装: US6

¥3.31793

0

5-7 工作日

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合计: ¥3.31793

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RN4982,LXHF(CT
RN4982,LXHF(CT
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 200mW 特征频率: 250MHz、200MHz 供应商设备包装: US6

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