品牌介绍
东芝电子设备和存储公司提供了一系列支持技术解决方案，使OEM、ODM、CMs和无晶圆厂芯片公司能够为计算、网络、通信、数字消费、汽车和其他市场开发先进的集成产品。
久芯自营
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图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: S-Mini | ¥2.53502 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.53502 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: S-Mini | ¥2.53502 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.53502 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: S-Mini | ¥2.53502 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.53502 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: n通道 额定电压: 10伏 额定电流（单位：安培）: 500毫安 频率: 849MHz 输出端功率: 23分贝mW 供应商设备包装: PW-MINI | ¥862.18033 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥862.18033 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: n通道 额定电压: 20伏 额定电流（单位：安培）: 1A 频率: 520MHz 输出端功率: 630mW 供应商设备包装: SC-62 | ¥386.30731 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥386.30731 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: n通道 额定电压: 20伏 额定电流（单位：安培）: 4A 频率: 520MHz 输出端功率: 12W 供应商设备包装: PW-X | ¥611.91206 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥611.91206 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 200毫安 供应商设备包装: US6 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥7.90925 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7.90925 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 供应商设备包装: VESM | ¥1.46727 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.46727 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 供应商设备包装: VESM | ¥1.20794 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.20794 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: VESM | ¥1.17189 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.17189 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 供应商设备包装: VESM | ¥2.31773 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.31773 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 供应商设备包装: VESM | ¥1.01997 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.01997 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: n通道 额定电压: 12.5伏 额定电流（单位：安培）: 30毫安 频率: 500MHz 供应商设备包装: USQ | ¥3.02246 | 10 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥3.02246 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 场效应管类型: 2个P通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 100毫安 供应商设备包装: ES6（1.6x1.6） 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥3.18688 | 22 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3.18688 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.3A（Ta） 最大功耗: 500mW (Ta) 供应商设备包装: ES6 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥3.24120 | 10 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥3.24120 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 6A (Ta) 最大功耗: 2.5W（Ta） 供应商设备包装: 6-UDFNB (2x2) 工作温度: 150摄氏度 | ¥4.02560 | 1 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥4.02560 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.5A（Ta） 最大功耗: 1.8W（Ta） 供应商设备包装: UFM 工作温度: 175摄氏度 | ¥3.54902 | 8280 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3.54902 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 92A（Tc） 最大功耗: 960mW（Ta），81W（Tc） 供应商设备包装: 8-SOP Advance (5x5) 工作温度: 175摄氏度 | ¥4.69630 | 50 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥4.69630 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 38A (Tc) 最大功耗: 610mW (Ta), 61W (Tc) 供应商设备包装: 8-TSON Advance (3.1x3.1) 工作温度: 175摄氏度 | ¥5.14246 | 10576 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5.14246 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 400毫安 (Ta) 最大功耗: 500mW (Ta) 供应商设备包装: CST3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥0.45775 | 127 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.45775 | 立即购买 加入购物车 |