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品牌介绍

Nexperia是大批量生产基本半导体的领先专家,这些半导体是世界上每一种电子设计所需的元件。该公司广泛的产品组合包括二极管、双极晶体管、ESD保护装置、MOSFET、GaN FET以及模拟和逻辑IC。Nexperia总部位于荷兰奈梅根,每年运送900多亿种产品,符合汽车行业制定的严格标准。这些产品在工艺、尺寸、功率和性能等方面被公认为效率的基准,具有业界领先的小型封装,可节省宝贵的能源和空间。

英文全称: Nexperia USA Inc.

中文全称: 安世半导体

英文简称: Nexperia

品牌地址: http://www.nexperia.com/

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品牌型号
描述
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操作
NHDTA124ETR
NHDTA124ETR
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 80 V 最大功率: 250毫瓦 特征频率: 150兆赫 供应商设备包装: TO-236AB

¥1.59344

2900

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.59344

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NHDTC114ETR
NHDTC114ETR
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 80 V 最大功率: 250毫瓦 特征频率: 170兆赫 供应商设备包装: TO-236AB

¥1.59344

2857

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.59344

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NHDTC144ETR
NHDTC144ETR
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 80 V 最大功率: 250毫瓦 特征频率: 170兆赫 供应商设备包装: TO-236AB

¥1.59344

40482

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.59344

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NHDTA123JUF
NHDTA123JUF
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 80 V 最大功率: 235毫瓦 特征频率: 150兆赫 供应商设备包装: SOT-323

¥1.81073

9995

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.81073

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NHDTA124EUF
NHDTA124EUF
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 80 V 最大功率: 235毫瓦 特征频率: 150兆赫 供应商设备包装: SOT-323

¥1.81073

9890

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.81073

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NHDTA143ZUF
NHDTA143ZUF
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 80 V 最大功率: 235毫瓦 特征频率: 150兆赫 供应商设备包装: SOT-323

¥1.81073

9850

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.81073

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NHDTC123JUF
NHDTC123JUF
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 80 V 最大功率: 235毫瓦 特征频率: 170兆赫 供应商设备包装: SOT-323

¥1.81073

9846

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.81073

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NHDTC124EUF
NHDTC124EUF
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 80 V 最大功率: 235毫瓦 特征频率: 170兆赫 供应商设备包装: SOT-323

¥1.81073

9520

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.81073

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PDTC144TM,315
PDTC144TM,315
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 250毫瓦 供应商设备包装: SOT-883

¥0.27407

50000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,740.71000

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PDTC115TM,315
PDTC115TM,315
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 250毫瓦 供应商设备包装: SOT-883

¥0.27407

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,740.71000

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PDTC143TM,315
PDTC143TM,315
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 250毫瓦 供应商设备包装: SOT-883

¥0.27407

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,740.71000

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PDTA144WM,315
PDTA144WM,315
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 250毫瓦 供应商设备包装: SOT-883

¥0.27407

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,740.71000

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PDTA144VM,315
PDTA144VM,315
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 250毫瓦 供应商设备包装: SOT-883

¥0.27407

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,740.71000

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PDTA144TM,315
PDTA144TM,315
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 250毫瓦 供应商设备包装: SOT-883

¥0.27407

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,740.71000

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PDTA143EM,315
PDTA143EM,315
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 250毫瓦 供应商设备包装: SOT-883

¥0.27407

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,740.71000

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PDTA124XM,315
PDTA124XM,315
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 250毫瓦 供应商设备包装: SOT-883

¥0.27407

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,740.71000

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PDTA124EM,315
PDTA124EM,315
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 250毫瓦 供应商设备包装: SOT-883

¥0.27407

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,740.71000

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PDTA123TM,315
PDTA123TM,315
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 250毫瓦 供应商设备包装: SOT-883

¥0.27407

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,740.71000

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PDTA123EM,315
PDTA123EM,315
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 250毫瓦 供应商设备包装: SOT-883

¥0.27407

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,740.71000

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PDTA115TM,315
PDTA115TM,315
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 250毫瓦 供应商设备包装: SOT-883

¥0.27407

0

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