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品牌介绍

ROHM于1958年在日本京都成立。ROHM设计和制造半导体、集成电路和其他电子元件。这些组件在动态且不断增长的无线、计算机、汽车和消费电子市场中找到了一席之地。一些最具创新性的设备和装置使用ROHM产品。

英文全称: Rohm Semiconductor

中文全称: 罗姆

英文简称: Rohm

品牌地址: http://www.rohm.com/

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品牌型号
描述
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操作
2SC4774T106S
2SC4774T106S
晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 50毫安 集电极击穿电压: 6V 最大功率: 200mW 特征频率: 800MHz 供应商设备包装: UMT3

¥0.38532

729

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.38532

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2SC2412KT146R
2SC2412KT146R
晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 150毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 180MHz 供应商设备包装: SMT3

¥0.14776

5866

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.14776

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2SC4081U3HZGT106R
2SC4081U3HZGT106R
晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 150毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 180MHz 供应商设备包装: UMT3

¥0.78006

84

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.78006

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BSS64AHZGT116
BSS64AHZGT116
晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 100伏 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 140MHz 供应商设备包装: SST3

¥2.46259

3335

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.46259

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2SB1694T106
2SB1694T106
晶体管类别: 即插即用 最大集电极电流 (Ic): 1A 集电极击穿电压: 30伏 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 320兆赫 供应商设备包装: UMT3

¥2.75230

38832

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.75230

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2SCR552P5T100
2SCR552P5T100
晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 3A 集电极击穿电压: 30伏 最大功率: 500 mW 特征频率: 280兆赫 供应商设备包装: MPT3

¥1.45003

185

2-3 工作日

- +

合计: ¥1.45003

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2SC5662T2LP
2SC5662T2LP
晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 50 mA 集电极击穿电压: 11伏 最大功率: 150 mW 特征频率: 3.2GHz 供应商设备包装: VMT3

¥0.71850

55

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.71850

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UMT2NTR
UMT2NTR
晶体管类别: 2 PNP(双) 集电极击穿电压: 50V 最大集电极电流 (Ic): 150毫安 最大功率: 150mW 供应商设备包装: UMT6 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥0.36577

20

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.36577

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VT6X2T2R
VT6X2T2R
晶体管类别: 2 NPN(双) 集电极击穿电压: 50V 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 最大功率: 150mW 供应商设备包装: VMT6 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥3.04202

17248

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.04202

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VT6Z1T2R
VT6Z1T2R
晶体管类别: NPN,PNP 集电极击穿电压: 20伏 最大集电极电流 (Ic): 200毫安 最大功率: 150mW 供应商设备包装: VMT6 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥0.55770

500

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.55770

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UMZ2NTR
UMZ2NTR
晶体管类别: NPN,PNP 集电极击穿电压: 50V 最大集电极电流 (Ic): 150毫安 最大功率: 150mW 供应商设备包装: UMT6 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥0.19411

3000

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.19411

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IMT4T108
IMT4T108
晶体管类别: 2 PNP(双) 集电极击穿电压: 120伏 最大集电极电流 (Ic): 50毫安 最大功率: 300mW 供应商设备包装: SMT6 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥3.40416

11790

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.40416

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UMX4NTR
UMX4NTR
晶体管类别: 2 NPN(双) 集电极击穿电压: 20伏 最大集电极电流 (Ic): 50毫安 最大功率: 150mW 供应商设备包装: UMT6 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥0.30420

40

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.30420

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2SC4102U3T106S
2SC4102U3T106S
晶体管类别: 即插即用 最大集电极电流 (Ic): 50 mA 集电极击穿电压: 60 V 最大功率: 1.2瓦 特征频率: 100MHz 供应商设备包装: SOT-223-3

¥3.18688

5998

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.18688

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2SD2656T106
2SD2656T106
晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 1A 集电极击穿电压: 30伏 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 400MHz 供应商设备包装: UMT3

¥0.34621

500

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.34621

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EMX1FHAT2R
EMX1FHAT2R
晶体管类别: 2 NPN(双) 集电极击穿电压: 50V 最大集电极电流 (Ic): 150毫安 最大功率: 150mW 供应商设备包装: EMT6 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥0.78594

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.78594

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IMZ2AT108
IMZ2AT108
晶体管类别: NPN,PNP 集电极击穿电压: 50V 最大集电极电流 (Ic): 150毫安 最大功率: 300mW 供应商设备包装: SMT6 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥3.54902

9

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.54902

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2SD1949T106Q
2SD1949T106Q
晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 500 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: UMT3

¥0.35273

500

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.35273

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2SC3837KT146P
2SC3837KT146P
晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 50 mA 集电极击穿电压: 20伏 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 1.5GHz 供应商设备包装: SMT3

¥2.96959

8018

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.96959

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FMY5T148
FMY5T148
晶体管类别: NPN、PNP(发射极耦合) 集电极击穿电压: 120伏 最大集电极电流 (Ic): 50毫安 最大功率: 300mW 供应商设备包装: SMT5 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥3.04202

4492

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.04202

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