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品牌介绍

ROHM于1958年在日本京都成立。ROHM设计和制造半导体、集成电路和其他电子元件。这些组件在动态且不断增长的无线、计算机、汽车和消费电子市场中找到了一席之地。一些最具创新性的设备和装置使用ROHM产品。

英文全称: Rohm Semiconductor

中文全称: 罗姆

英文简称: Rohm

品牌地址: http://www.rohm.com/

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品牌型号
描述
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数量
操作
EMD53T2R
EMD53T2R
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 150mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: EMT6

¥2.96959

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.96959

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EMD62T2R
EMD62T2R
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 150mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: EMT6

¥0.37159

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.37159

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EMA5T2R
EMA5T2R
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 150mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: EMT5

¥2.03883

100

2-3 工作日

- +

合计: ¥2.03883

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EMD5T2R
EMD5T2R
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6

¥3.33173

6729

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.33173

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UMH11NTN
UMH11NTN
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 150mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: UMT6

¥0.17890

300

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.17890

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UMA1NTR
UMA1NTR
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 150mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: UMT5

¥2.82473

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.82473

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UMD2NTR
UMD2NTR
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 150mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: UMT6

¥0.17238

4740

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.17238

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UMA5NTR
UMA5NTR
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 150mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: UMT5

¥0.17745

1400

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.17745

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IMH2AT110
IMH2AT110
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: SMT6

¥3.40416

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.40416

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UMG3NTR
UMG3NTR
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 150mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: UMT5

¥0.17383

1500

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.17383

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2SC4618TLN
2SC4618TLN
晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 50毫安 集电极击穿电压: 25伏 最大功率: 150mW 特征频率: 300MHz 供应商设备包装: EMT3

¥0.74095

3000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,222.84700

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FMA2AT148
FMA2AT148
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: SMT5

¥2.96959

2874

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.96959

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UMB10NTN
UMB10NTN
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 150mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: UMT6

¥0.25785

146

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.25785

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UMG2NTR
UMG2NTR
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 150mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: UMT5

¥0.19266

1000

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.19266

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UMB11NTN
UMB11NTN
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 150mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: UMT6

¥0.19918

500

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.19918

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EMH25FHAT2R
EMH25FHAT2R
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 最大功率: 150mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: EMT6

¥2.01096

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.01096

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UMG4NTR
UMG4NTR
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 150mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: UMT5

¥0.39413

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.39413

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EMD22FHAT2R
EMD22FHAT2R
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 最大功率: 150mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: EMT6

¥2.39337

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.39337

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UMH2NFHATN
UMH2NFHATN
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 150mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: UMT6

¥0.31145

130

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.31145

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EMD6FHAT2R
EMD6FHAT2R
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 150mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: EMT6

¥0.99575

9000

5-7 工作日

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合计: ¥0.99575

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