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品牌介绍

Vishay的产品组合是无可匹敌的分立半导体(二极管、MOSFET和光电子)和无源元件(电阻器、电感器和电容器)的集合。这些组件几乎用于工业、计算、汽车、消费者、电信、军事、航空航天和医疗市场的所有类型的电子设备和设备。Vishay很自豪能成为Digi Key的主要合作伙伴。

英文全称: Vishay Cera-Mite

中文全称: 威世半导体

英文简称: Vishay Cera-Mite

品牌地址: http://www.vishay.com/company/brands/bccomponents/

久芯自营
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描述
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IRFD014PBF
IRFD014PBF
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.7A(Ta) 最大功耗: 1.3W(Ta) 供应商设备包装: 4-HVMDIP 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥2.60855

2

2-3 工作日

- +

合计: ¥2.60855

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IRF510SPBF
IRF510SPBF
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.6A (Tc) 最大功耗: 3.7W (Ta), 43W (Tc) 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥3.81027

50

2-3 工作日

- +

合计: ¥3.81027

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IRF9540PBF
IRF9540PBF
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 19A(Tc) 最大功耗: 150W(Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥3.27874

12

2-3 工作日

- +

合计: ¥3.27874

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IRF540SPBF
IRF540SPBF
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 28A(Tc) 最大功耗: 3.7W (Ta), 150W (Tc) 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥5.46409

209

2-3 工作日

- +

合计: ¥5.46409

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SISA12ADN-T1-GE3
SISA12ADN-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 25A(Tc) 最大功耗: 3.5W (Ta), 28W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAK1212-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥2.59844

100

2-3 工作日

- +

合计: ¥2.59844

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SIHG30N60E-GE3
SIHG30N60E-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 29A(Tc) 最大功耗: 250W(Tc) 供应商设备包装: TO-247AC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥16.95499

26952

2-3 工作日

- +

合计: ¥16.95499

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SI4459ADY-T1-GE3
SI4459ADY-T1-GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 29A(Tc) 最大功耗: 3.5W (Ta), 7.8W (Tc) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥3.91644

990

2-3 工作日

- +

合计: ¥3.91644

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IRFD110PBF
IRFD110PBF
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1A(Ta) 最大功耗: 1.3W(Ta) 供应商设备包装: 4-HVMDIP 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥3.97782

10

2-3 工作日

- +

合计: ¥3.97782

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IRFP27N60KPBF
IRFP27N60KPBF
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 27A(Tc) 最大功耗: 500W (Tc) 供应商设备包装: TO-247AC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥13.99388

75

2-3 工作日

- +

合计: ¥13.99388

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SI2306BDS-T1-E3
SI2306BDS-T1-E3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.16A(Ta) 最大功耗: 750mW (Ta) 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥1.22267

49

2-3 工作日

- +

合计: ¥1.22267

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SI1302DL-T1-E3
SI1302DL-T1-E3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 600毫安 (Ta) 最大功耗: 280毫瓦(Ta) 供应商设备包装: SC-70-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥5.16944

20

2-3 工作日

- +

合计: ¥5.16944

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IRF9540SPBF
IRF9540SPBF
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 19A(Tc) 最大功耗: 3.7W (Ta), 150W (Tc) 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥7.10346

100

2-3 工作日

- +

合计: ¥7.10346

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IRFBC20PBF
IRFBC20PBF
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.2A(Tc) 最大功耗: 50W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥3.03103

95

2-3 工作日

- +

合计: ¥3.03103

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IRF9640PBF
IRF9640PBF
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 11A(Tc) 最大功耗: 125W(Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥2.41356

13875

2-3 工作日

- +

合计: ¥2.41356

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IRFP264PBF
IRFP264PBF
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 250伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 38A (Tc) 最大功耗: 280W(Tc) 供应商设备包装: TO-247AC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥7.71299

50

2-3 工作日

- +

合计: ¥7.71299

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IRFR210TRPBF
IRFR210TRPBF
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.6A(Tc) 最大功耗: 2.5W(Ta)、25W(Tc) 供应商设备包装: D-Pak 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥2.59700

91

2-3 工作日

- +

合计: ¥2.59700

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IRFZ24NPBF
IRFZ24NPBF
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 17A(Tc) 最大功耗: 45W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥1.38733

500

2-3 工作日

- +

合计: ¥1.38733

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IRF610PBF
IRF610PBF
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.3A(Tc) 最大功耗: 36W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥1.81270

133

2-3 工作日

- +

合计: ¥1.81270

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SI2302DDS-T1-GE3
SI2302DDS-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.9A(Tj) 最大功耗: 710mW (Ta) 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥0.37409

692

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.37409

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IRF520PBF
IRF520PBF
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 9.2A (Tc) 最大功耗: 60W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥3.50046

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥3.50046

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