品牌介绍
Winbond Electronics Corporation是全球领先的半导体存储解决方案供应商。该公司提供由客户驱动的内存解决方案，并以产品设计、研发、制造和销售服务方面的专家能力为后盾。Winbond的产品组合由专业DRAM、移动DRAM、代码存储闪存和TrustME®安全闪存组成，广泛用于通信、消费电子、汽车和工业以及计算机外围市场的一级客户。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 16-SOIC | ¥28.92713 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,272.79368 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 96-VFBGA（7.5x13） | ¥28.74334 | 3 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥28.74334 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (32M x 32) 电源电压: 1.14伏~ 1.3伏、1.7伏~ 1.95伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 134-VFBGA (10x11.5) | ¥39.36516 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6,613.34722 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (256M x 8) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 933兆赫 供应商设备包装: 78-VFBGA (8x10.5) | ¥31.67548 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥7,665.46519 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (256M x 8) 电源电压: 1.283V～1.45V 时钟频率: 933兆赫 供应商设备包装: 78-VFBGA (8x10.5) | ¥31.67548 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥7,665.46519 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (4M x 32) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 90-TFBGA (8x13) | ¥52.73641 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥12,656.73840 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (4M x 32) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 90-TFBGA (8x13) | ¥66.40920 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥15,938.20824 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (FLASH-NOR), 1Gb (FLASH-NAND) (16M x 8 (FLASH-NOR), 128M x 8 (FLASH-NAND)) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-WSON (8x6) | ¥32.20845 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥15,460.05696 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (128M x 16) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 96-VFBGA（7.5x13） | ¥46.45879 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥9,198.83943 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (128M x 16) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 667 MHz 供应商设备包装: 96-VFBGA（7.5x13） | ¥37.92860 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥7,509.86221 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (32M x 32) 电源电压: 1.7伏～1.95伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 90-VFBGA (8x13) | ¥38.32914 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥9,198.99288 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (128M x 16) 电源电压: 1.283V～1.45V 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 96-VFBGA（7.5x13） | ¥37.92860 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥7,509.86221 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (128M x 16) 电源电压: 1.283V～1.45V 时钟频率: 667 MHz 供应商设备包装: 96-VFBGA（7.5x13） | ¥37.92860 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥7,509.86221 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb（128M x 8） 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 16-SOIC | ¥22.71475 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥999.44891 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (256M x 8) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 933兆赫 供应商设备包装: 78-VFBGA (8x10.5) | ¥37.92860 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥9,178.72047 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (256M x 8) 电源电压: 1.283V～1.45V 时钟频率: 933兆赫 供应商设备包装: 78-VFBGA (8x10.5) | ¥37.92860 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥9,178.72047 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 1.14伏～1.95伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 134-VFBGA (10x11.5) | ¥44.90598 | 3 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥44.90598 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 60-TFBGA (8x13) | ¥32.10372 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6,709.67748 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 60-TFBGA (8x13) | ¥47.79697 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥9,989.56652 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 2Gb (256M x 8) 电源电压: 1.7伏～1.95伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 8-WSON (8x6) | ¥36.31228 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥17,429.89392 | 添加到BOM 立即询价 |