品牌介绍
GSI Technology，Inc.成立于1995年，是网络、军事、医疗、汽车和其他应用领域高性能半导体存储器解决方案的领先供应商。该公司提供超长的产品支持生命周期、较短的交付周期、市场上最大的高性能内存产品组合之一，以及完整的售前和售后支持。GSI的目标是提供世界上功率、速度、密度、质量、可靠性和交付的最佳价值组合，重点是长期提供高性能内存。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (1M x 18) 电源电压: 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 时钟频率: 333兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP（20x14） | ¥282.03853 | 36 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥282.03853 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 时钟频率: 333兆赫 供应商设备包装: 165-FPBGA (13x15) | ¥282.11096 | 36 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥282.11096 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (1M x 18) 电源电压: 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 时钟频率: 333兆赫 供应商设备包装: 165-FPBGA (13x15) | ¥282.11096 | 18 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥282.11096 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (1M x 18) 电源电压: 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 时钟频率: 333兆赫 供应商设备包装: 165-FPBGA (13x15) | ¥282.11096 | 36 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥282.11096 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb（256K x 36） 电源电压: 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 时钟频率: 333兆赫 供应商设备包装: 165-FPBGA (13x15) | ¥297.17619 | 36 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥297.17619 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb（256K x 36） 电源电压: 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 时钟频率: 300兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP（20x14） | ¥182.73236 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6,578.36478 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb（256K x 36） 电源电压: 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 时钟频率: 300兆赫 供应商设备包装: 165-FPBGA (15x13) | ¥202.01853 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,272.66715 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb（256K x 36） 电源电压: 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 时钟频率: 300兆赫 供应商设备包装: 165-FPBGA (15x13) | ¥202.01853 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,272.66715 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb（256K x 36） 电源电压: 1.7伏~2伏，2.3伏~2.7伏 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP（20x14） | ¥215.04496 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥14,192.96736 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb（256K x 36） 电源电压: 1.7伏~2伏，2.3伏~2.7伏 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP（20x14） | ¥244.66516 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥244.66516 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 288Mb (8M x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 533 MHz 供应商设备包装: 144-uBGA (18.5x11) | ¥334.99818 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥12,059.93434 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (1M x 36) 电源电压: 1.7伏~2伏，2.3伏~2.7伏 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 119-FPBGA（22x14） | ¥623.83098 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥623.83098 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (2M x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 350兆赫 供应商设备包装: 165-FPBGA (15x13) | ¥1,057.71929 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥15,865.78938 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (128K x 36) 电源电压: 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP（20x14） | ¥75.39859 | 24 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥75.39859 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (4M x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 550 MHz 供应商设备包装: 165-FPBGA (13x15) | ¥1,213.18575 | 15 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,213.18575 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (2M x 36) 电源电压: 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 时钟频率: 300兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP（20x14） | ¥1,380.64160 | 25 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,380.64160 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (4M x 18) 电源电压: 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 时钟频率: 300兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP（20x14） | ¥1,380.64160 | 15 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,380.64160 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (2M x 36) 电源电压: 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 时钟频率: 300兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP（20x14） | ¥1,380.64160 | 15 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,380.64160 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (2M x 36) 电源电压: 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 时钟频率: 300兆赫 供应商设备包装: 119-FPBGA（22x14） | ¥1,403.52916 | 15 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,403.52916 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (2M x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 357 MHz 供应商设备包装: 165-FPBGA (13x15) | ¥1,409.25105 | 15 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,409.25105 | 添加到BOM 立即询价 |