品牌介绍
美光制造的创新内存和存储解决方案有助于推动当今最重大、最具破坏性的技术突破，如人工智能、物联网、自动驾驶汽车、个性化医疗甚至太空探索。通过开创更快、更高效的数据收集、存储和管理方式，他们正在帮助变革和改善世界交流、学习和进步的方式。在40多年的历史中，他们为行业的发展贡献了40000多项专利，是一家由34000名全球多元化团队成员组成的包容性公司，他们在18个不同的国家生活和工作。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP（14x20.1） | ¥136.98166 | 255 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,191.70650 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (1M x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP（14x20.1） | ¥136.98166 | 233 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,191.70650 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | CACHE SRAM, 1MX18, 4NS PBGA165 | ¥136.98166 | 211 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,191.70650 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (1M x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15) | ¥136.98166 | 143 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,191.70650 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 32) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP（14x20.1） | ¥136.98166 | 122 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,191.70650 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb（512K x 18） 电源电压: 2.4伏~2.6伏 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15) | ¥139.22370 | 147 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,227.57920 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 2.4伏~2.6伏 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15) | ¥139.58532 | 158 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,233.36512 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (32K x 32) 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 66 MHz 供应商设备包装: 100-TQFP（14x20.1） | ¥46.64898 | 49176 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,192.50206 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (2M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15) | ¥205.18319 | 5907 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,257.01507 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | DDR SRAM, 2MX8, 0.45NS PBGA165 | ¥205.18319 | 1457 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,257.01507 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | DDR SRAM, 2MX8, 0.45NS PBGA165 | ¥205.18319 | 518 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,257.01507 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (32K x 32) 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP（14x20.1） | ¥47.22757 | 28461 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,172.46831 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb（128M x 8） 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP I | ¥29.14657 | 948 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥29.14657 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15) | ¥151.30181 | 112 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,269.52712 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 8Mb (256K x 32) 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP（14x20.1） | ¥92.86402 | 14739 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,228.73638 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | ZBT SRAM, 128KX36, 8.5NS PQFP100 | ¥47.58919 | 4272 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,189.10283 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | SRAM SYNC DUAL 4M-BIT 256KX18 | ¥47.58919 | 1000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,189.10283 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | CACHE SRAM, 1MX18, 8.5NS PQFP100 | ¥152.38667 | 964 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,285.80002 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 2Gb (256M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP I | ¥47.73384 | 1608 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥47.73384 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | CACHE SRAM, 32KX36, 10NS PQFP100 | ¥47.87849 | 4719 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,202.41045 | 添加到BOM 立即询价 |