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品牌介绍

美光制造的创新内存和存储解决方案有助于推动当今最重大、最具破坏性的技术突破,如人工智能、物联网、自动驾驶汽车、个性化医疗甚至太空探索。通过开创更快、更高效的数据收集、存储和管理方式,他们正在帮助变革和改善世界交流、学习和进步的方式。在40多年的历史中,他们为行业的发展贡献了40000多项专利,是一家由34000名全球多元化团队成员组成的包容性公司,他们在18个不同的国家生活和工作。

英文全称: Micron Technology Inc.

中文全称: 镁光

英文简称: Micron

品牌地址: http://www.micron.com/

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品牌型号
描述
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M29F040B90K6
M29F040B90K6
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-PLCC (11.35x13.89)

¥56.88574

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合计: ¥56.88574

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MT46V128M4BN-6:D
MT46V128M4BN-6:D
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (128M x 4) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 60-FBGA (10x12.5)

¥37.06916

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合计: ¥37.06916

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M29F040B90N6
M29F040B90N6
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-TSOP

¥6.21441

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合计: ¥6.21441

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MT46V32M16TG-6T:F
MT46V32M16TG-6T:F
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 66-TSOP

¥25.55295

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合计: ¥25.55295

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M29F400BT70N6
M29F400BT70N6
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Mb (512K x 8, 256K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 48-TSOP

¥30.92718

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合计: ¥30.92718

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M29F800DB70N6
M29F800DB70N6
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 8Mb (1M x 8, 512K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 48-TSOP

¥480.50847

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合计: ¥480.50847

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MT46V128M4BN-75:D
MT46V128M4BN-75:D
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (128M x 4) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 60-FBGA (10x12.5)

¥77.89015

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合计: ¥77.89015

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MT46V32M4P-5B:D
MT46V32M4P-5B:D
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (32M x 4) 电源电压: 2.5伏~2.7伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 66-TSOP

¥140.62815

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合计: ¥140.62815

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MT48H8M32LFF5-10
MT48H8M32LFF5-10
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (8M x 32) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 90-VFBGA (8x13)

¥65.35269

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合计: ¥65.35269

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M29W040B90K6
M29W040B90K6
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 32-PLCC (11.35x13.89)

¥42.74760

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合计: ¥42.74760

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M29W160EB90N6
M29W160EB90N6
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 16Mb (2M x 8, 1M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP

¥38.02523

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合计: ¥38.02523

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MT46V128M4FN-75Z:D
MT46V128M4FN-75Z:D
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (128M x 4) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 60-FBGA (10x12.5)

¥87.68255

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合计: ¥87.68255

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MT46V32M4P-6T:D
MT46V32M4P-6T:D
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (32M x 4) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 66-TSOP

¥65.73656

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合计: ¥65.73656

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M29W320DB70N6
M29W320DB70N6
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (4M x 8, 2M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP

¥45.63027

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合计: ¥45.63027

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M29W400BB90N6
M29W400BB90N6
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Mb (512K x 8, 256K x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP

¥14.03674

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合计: ¥14.03674

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MT46V128M4FN-75:D
MT46V128M4FN-75:D
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (128M x 4) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 60-FBGA (10x12.5)

¥37.75000

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合计: ¥37.75000

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MT48H8M32LFF5-8
MT48H8M32LFF5-8
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (8M x 32) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 125兆赫 供应商设备包装: 90-VFBGA (8x13)

¥25.36464

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合计: ¥25.36464

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MT48LC8M8A2P-75:G
MT48LC8M8A2P-75:G
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 64Mb (8M x 8) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II

¥62.15857

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合计: ¥62.15857

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M29W400BT70N6
M29W400BT70N6
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Mb (512K x 8, 256K x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP

¥18.80257

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合计: ¥18.80257

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MT46V32M4TG-5B:D
MT46V32M4TG-5B:D
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (32M x 4) 电源电压: 2.5伏~2.7伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 66-TSOP

¥120.30457

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合计: ¥120.30457

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