美光制造的创新内存和存储解决方案有助于推动当今最重大、最具破坏性的技术突破,如人工智能、物联网、自动驾驶汽车、个性化医疗甚至太空探索。通过开创更快、更高效的数据收集、存储和管理方式,他们正在帮助变革和改善世界交流、学习和进步的方式。在40多年的历史中,他们为行业的发展贡献了40000多项专利,是一家由34000名全球多元化团队成员组成的包容性公司,他们在18个不同的国家生活和工作。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-PLCC (11.35x13.89) | ¥56.88574 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥56.88574 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (128M x 4) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 60-FBGA (10x12.5) | ¥37.06916 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥37.06916 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-TSOP | ¥6.21441 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6.21441 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 66-TSOP | ¥25.55295 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥25.55295 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Mb (512K x 8, 256K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 48-TSOP | ¥30.92718 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥30.92718 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 8Mb (1M x 8, 512K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 48-TSOP | ¥480.50847 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥480.50847 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (128M x 4) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 60-FBGA (10x12.5) | ¥77.89015 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥77.89015 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (32M x 4) 电源电压: 2.5伏~2.7伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 66-TSOP | ¥140.62815 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥140.62815 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (8M x 32) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 90-VFBGA (8x13) | ¥65.35269 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥65.35269 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 32-PLCC (11.35x13.89) | ¥42.74760 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥42.74760 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 16Mb (2M x 8, 1M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP | ¥38.02523 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥38.02523 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (128M x 4) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 60-FBGA (10x12.5) | ¥87.68255 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥87.68255 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (32M x 4) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 66-TSOP | ¥65.73656 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥65.73656 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (4M x 8, 2M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP | ¥45.63027 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥45.63027 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Mb (512K x 8, 256K x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP | ¥14.03674 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥14.03674 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (128M x 4) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 60-FBGA (10x12.5) | ¥37.75000 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥37.75000 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (8M x 32) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 125兆赫 供应商设备包装: 90-VFBGA (8x13) | ¥25.36464 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥25.36464 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 64Mb (8M x 8) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II | ¥62.15857 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥62.15857 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Mb (512K x 8, 256K x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP | ¥18.80257 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥18.80257 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (32M x 4) 电源电压: 2.5伏~2.7伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 66-TSOP | ¥120.30457 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥120.30457 | 添加到BOM 立即询价 |