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品牌介绍

美光制造的创新内存和存储解决方案有助于推动当今最重大、最具破坏性的技术突破,如人工智能、物联网、自动驾驶汽车、个性化医疗甚至太空探索。通过开创更快、更高效的数据收集、存储和管理方式,他们正在帮助变革和改善世界交流、学习和进步的方式。在40多年的历史中,他们为行业的发展贡献了40000多项专利,是一家由34000名全球多元化团队成员组成的包容性公司,他们在18个不同的国家生活和工作。

英文全称: Micron Technology Inc.

中文全称: 镁光

英文简称: Micron

品牌地址: http://www.micron.com/

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MT28EW01GABA1HPC-0AAT
MT28EW01GABA1HPC-0AAT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb (128M x 8, 64M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-LBGA (11x13)

¥25.53847

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MTFC32GAPALBH-AIT
MTFC32GAPALBH-AIT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Gb (32G x 8) 供应商设备包装: 153-TFBGA (11.5x13)

¥116.07472

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MTFC32GAPALNA-AIT
MTFC32GAPALNA-AIT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Gb (32G x 8) 供应商设备包装: 100-TBGA(14x18)

¥98.50506

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MT29RZ4B2DZZHHWD-18I.84F
MT29RZ4B2DZZHHWD-18I.84F
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH, RAM 存储容量: 4Gb (128M x 32)(NAND), 2G (64M x 32)(LPDDR2) 电源电压: 1.8伏 时钟频率: 533 MHz 供应商设备包装: 162-VFBGA (10.5x8)

¥15.47083

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ECF620AAACN-C2-Y3-ES
ECF620AAACN-C2-Y3-ES
LPDDR3 6G DIE 192MX32

¥32.04259

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MT28EW01GABA1LJS-0AAT
MT28EW01GABA1LJS-0AAT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb (128M x 8, 64M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 56-TSOP

¥103.09544

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EDF8164A3MC-GD-F-R
EDF8164A3MC-GD-F-R
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 8Gb (128M x 64) 电源电压: 1.14伏~1.95伏 时钟频率: 800 MHz

¥23.45251

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MTFC64GAJAECE-AAT
MTFC64GAJAECE-AAT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Gb (64G x 8) 供应商设备包装: 169-LFBGA (14x18)

¥75.54345

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MT28EW01GABA1LPC-0AAT
MT28EW01GABA1LPC-0AAT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb (128M x 8, 64M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-LBGA (11x13)

¥87.37555

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MT28FW01GABA1HJS-0AAT
MT28FW01GABA1HJS-0AAT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 56-TSOP (14x20)

¥51.62739

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EDF8164A3MD-GD-F-R
EDF8164A3MD-GD-F-R
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 8Gb (128M x 64) 电源电压: 1.14伏~1.95伏 时钟频率: 800 MHz

¥25.35015

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MT28FW01GABA1HPC-0AAT
MT28FW01GABA1HPC-0AAT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-LBGA (11x13)

¥28.14591

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MT28FW512ABA1HJS-0AAT
MT28FW512ABA1HJS-0AAT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 1.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 56-TSOP (14x20)

¥76.99203

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MTFC64GAPALBH-AAT
MTFC64GAPALBH-AAT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Gb (64G x 8) 供应商设备包装: 153-TFBGA (11.5x13)

¥62.28894

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M29F400FB5AM6T2
M29F400FB5AM6T2
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Mb (512K x 8, 256K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 44-SO

¥106.36923

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EDFP112A3PB-GDTJ-F-R
EDFP112A3PB-GDTJ-F-R
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 24Gb (192M x 128) 电源电压: 1.14伏~1.95伏 时钟频率: 800 MHz

¥41.53079

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MT28FW512ABA1HPC-0AAT
MT28FW512ABA1HPC-0AAT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 1.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-LBGA (11x13)

¥38.69157

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MTFC64GAPALBH-AIT
MTFC64GAPALBH-AIT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Gb (64G x 8) 供应商设备包装: 153-TFBGA (11.5x13)

¥56.40771

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EDFP112A3PB-GD-F-D
EDFP112A3PB-GD-F-D
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 24Gb (192M x 128) 电源电压: 1.14伏~1.95伏 时钟频率: 800 MHz

¥21.59833

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MT28FW512ABA1LJS-0AAT
MT28FW512ABA1LJS-0AAT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 1.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 56-TSOP (14x20)

¥29.23234

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