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品牌介绍

美光制造的创新内存和存储解决方案有助于推动当今最重大、最具破坏性的技术突破,如人工智能、物联网、自动驾驶汽车、个性化医疗甚至太空探索。通过开创更快、更高效的数据收集、存储和管理方式,他们正在帮助变革和改善世界交流、学习和进步的方式。在40多年的历史中,他们为行业的发展贡献了40000多项专利,是一家由34000名全球多元化团队成员组成的包容性公司,他们在18个不同的国家生活和工作。

英文全称: Micron Technology Inc.

中文全称: 镁光

英文简称: Micron

品牌地址: http://www.micron.com/

久芯自营
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品牌型号
描述
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28153735
28153735
IC FLASH PAR NOR SLC 2MX8 PQFP

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MT29F64G08CBAABWP-12Z:A
MT29F64G08CBAABWP-12Z:A
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Gb (8G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 83 MHz 供应商设备包装: 48-TSOP I

¥12.76199

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MT29RZ4C8DZZMHAN-18W.80D
MT29RZ4C8DZZMHAN-18W.80D
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH, RAM 存储容量: 4Gb (256M x 16)(NAND), 4G (128M x 32)(LPDDR2) 电源电压: 1.8伏 时钟频率: 533 MHz

¥16.67316

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RC28F256P33T85A
RC28F256P33T85A
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 52 MHz 供应商设备包装: 64-EasyBGA (8x10)

¥17.87548

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MT29F64G08CBCABH1-10Z:A
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存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Gb (8G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 100-VBGA(12x18)

¥144.87249

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MT29RZ4C8DZZMHAN-18W.80Y
MT29RZ4C8DZZMHAN-18W.80Y
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH, RAM 存储容量: 4Gb (256M x 16)(NAND), 4G (128M x 32)(LPDDR2) 电源电压: 1.8伏 时钟频率: 533 MHz

¥48.73023

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JS28F256P33T95A
JS28F256P33T95A
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 40兆赫 供应商设备包装: 56-TSOP

¥196.31156

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PC28F256P33T85A
PC28F256P33T85A
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 52 MHz 供应商设备包装: 64-EasyBGA (8x10)

¥25.32118

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MT29GZ5A5BPGGA-53ITES.87J
MT29GZ5A5BPGGA-53ITES.87J
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH, RAM 存储容量: 4Gb (512M x 8)(NAND), 4G (128M x 32)(LPDDR4) 电源电压: 1.8伏 时钟频率: 1866 MHz 供应商设备包装: 149-WFBGA (8x9.5)

¥55.62547

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MT29F64G08CBCABH1-12ITZ:A
MT29F64G08CBCABH1-12ITZ:A
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Gb (8G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 83 MHz 供应商设备包装: 100-VBGA(12x18)

¥68.98138

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MT48H8M16LFB4-6:K
MT48H8M16LFB4-6:K
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (8M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 54-VFBGA (8x8)

¥27.30573

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TE28F256P33B95A
TE28F256P33B95A
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 40兆赫 供应商设备包装: 56-TSOP

¥16.10821

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JS28F256P33B95A
JS28F256P33B95A
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 40兆赫 供应商设备包装: 56-TSOP

¥6.25787

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MT29F64G08CBCABH1-12Z:A
MT29F64G08CBCABH1-12Z:A
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Gb (8G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 83 MHz 供应商设备包装: 100-VBGA(12x18)

¥15.15215

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RC28F256P33B85A
RC28F256P33B85A
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 52 MHz 供应商设备包装: 64-EasyBGA (8x10)

¥16.91941

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MT48H8M32LFB5-6:H
MT48H8M32LFB5-6:H
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (8M x 32) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 90-VFBGA (8x13)

¥33.15800

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MT53B2DANP-DC
MT53B2DANP-DC
LPDDR4 16G 512MX32 FBGA DDP

¥153.73780

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PC28F256P33B85A
PC28F256P33B85A
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 52 MHz 供应商设备包装: 64-EasyBGA (8x10)

¥445.43835

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MT40A1G16WBU-083E:B
MT40A1G16WBU-083E:B
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 16Gb (1G x 16) 电源电压: 1.14伏~1.26伏 时钟频率: 1.2千兆赫 供应商设备包装: 96-FBGA(8x14)

¥74.09487

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PF38F5060M0Y0BEA
PF38F5060M0Y0BEA
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 1.7伏~2伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 105-Flash SCSP

¥56.76985

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合计: ¥56.76985

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