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品牌介绍

美光制造的创新内存和存储解决方案有助于推动当今最重大、最具破坏性的技术突破,如人工智能、物联网、自动驾驶汽车、个性化医疗甚至太空探索。通过开创更快、更高效的数据收集、存储和管理方式,他们正在帮助变革和改善世界交流、学习和进步的方式。在40多年的历史中,他们为行业的发展贡献了40000多项专利,是一家由34000名全球多元化团队成员组成的包容性公司,他们在18个不同的国家生活和工作。

英文全称: Micron Technology Inc.

中文全称: 镁光

英文简称: Micron

品牌地址: http://www.micron.com/

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MT29F256G08AUCABK4-10:A
MT29F256G08AUCABK4-10:A
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Gb (32G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 100兆赫

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MT29F256G08CKCBBH2-10:B
MT29F256G08CKCBBH2-10:B
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Gb (32G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 100-TBGA(12x18)

¥32.62202

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M36W0R6050U4ZSE
M36W0R6050U4ZSE
IC FLASH PSRAM 96M

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M58LR128KB85ZB6E
M58LR128KB85ZB6E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (8M x 16) 电源电压: 1.7伏~2伏 时钟频率: 66 MHz 供应商设备包装: 56-VFBGA (7.7x9)

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M58LR128KT85ZB6E
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存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (8M x 16) 电源电压: 1.7伏~2伏 时钟频率: 66 MHz 供应商设备包装: 56-VFBGA (7.7x9)

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M58LR256KB70ZQ5E
M58LR256KB70ZQ5E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 1.7伏~2伏 时钟频率: 66 MHz 供应商设备包装: 88-TFBGA (8x10)

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MT44K16M36RB-107E:A
MT44K16M36RB-107E:A
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 576Mb (16M x 36) 电源电压: 1.28伏~ 1.42伏 时钟频率: 933兆赫 供应商设备包装: 168-BGA (13.5x13.5)

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MT44K16M36RB-125F:A
MT44K16M36RB-125F:A
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 576Mb (16M x 36) 电源电压: 1.28伏~ 1.42伏 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 168-BGA (13.5x13.5)

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EDB4432BBBJ-1DAIT-F-D
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存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (128M x 32) 电源电压: 1.14伏~1.95伏 时钟频率: 533 MHz 供应商设备包装: 134-FBGA (10x11.5)

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MT44K32M18RB-107E:A
MT44K32M18RB-107E:A
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 576Mb (32M x 18) 电源电压: 1.28伏~ 1.42伏 时钟频率: 933兆赫 供应商设备包装: 168-BGA (13.5x13.5)

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N25Q016A11EF640E
N25Q016A11EF640E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 16Mb (2M x 8) 电源电压: 1.7伏~2伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 8-DFN (5x6)

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MT53B2DAANK-DC
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存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 供应商设备包装: 366-WFBGA (15x15)

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N25Q032A11EF440E
N25Q032A11EF440E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (8M x 4) 电源电压: 1.7伏~2伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 8-UFDFPN (MLP8) (4x3)

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MT53B2DANH-DC
MT53B2DANH-DC
LPDDR4 16G 256MX64 FBGA DDP

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N25Q064A13EW74ME
N25Q064A13EW74ME
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (16M x 4) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 8-WPDFN (6x5)(MLP8)

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N25Q064A13EW7D0E
N25Q064A13EW7D0E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (16M x 4) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 8-WPDFN (6x5)(MLP8)

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EDB1332BDPA-1D-F-D
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存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (32M x 32) 电源电压: 1.14伏~1.95伏 时钟频率: 533 MHz 供应商设备包装: 168-WFBGA (12x12)

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M58LR256KT70ZQ5E
M58LR256KT70ZQ5E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 1.7伏~2伏 时钟频率: 66 MHz 供应商设备包装: 88-TFBGA (8x10)

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M58LT128KSB7ZA6E
M58LT128KSB7ZA6E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (8M x 16) 电源电压: 1.7伏~2伏 时钟频率: 52 MHz 供应商设备包装: 64-TBGA (10x13)

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M58LT128KST7ZA6E
M58LT128KST7ZA6E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (8M x 16) 电源电压: 1.7伏~2伏 时钟频率: 52 MHz 供应商设备包装: 64-TBGA (10x13)

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