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品牌介绍

美光制造的创新内存和存储解决方案有助于推动当今最重大、最具破坏性的技术突破,如人工智能、物联网、自动驾驶汽车、个性化医疗甚至太空探索。通过开创更快、更高效的数据收集、存储和管理方式,他们正在帮助变革和改善世界交流、学习和进步的方式。在40多年的历史中,他们为行业的发展贡献了40000多项专利,是一家由34000名全球多元化团队成员组成的包容性公司,他们在18个不同的国家生活和工作。

英文全称: Micron Technology Inc.

中文全称: 镁光

英文简称: Micron

品牌地址: http://www.micron.com/

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品牌型号
描述
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MT29F4G16ABBEAH4-IT:E
MT29F4G16ABBEAH4-IT:E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Gb (256M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 供应商设备包装: 63-VFBGA (9x11)

¥52.78626

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合计: ¥52.78626

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PZ28F064M29EWLA
PZ28F064M29EWLA
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (8M x 8, 4M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-BGA (6x8)

¥48.77369

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合计: ¥48.77369

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EDF4432ACPE-GD-F-D
EDF4432ACPE-GD-F-D
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (128M x 32) 电源电压: 1.14伏~1.95伏 时钟频率: 800 MHz

¥28.64567

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合计: ¥28.64567

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M29W064FT70N3E
M29W064FT70N3E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (8M x 8, 4M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP

¥438.83283

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合计: ¥438.83283

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M29F160FB5KN3E2
M29F160FB5KN3E2
IC FLASH 16MBIT 48TSOP

¥17.81753

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合计: ¥17.81753

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RC28F256P30TFE
RC28F256P30TFE
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 1.7伏~2伏 时钟频率: 52 MHz 供应商设备包装: 64-EasyBGA (10x13)

¥69.27110

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合计: ¥69.27110

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MT29F512G08CKCABH7-6:A
MT29F512G08CKCABH7-6:A
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Gb (64G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 152-TBGA (14x18)

¥339.11258

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PZ28F064M29EWTA
PZ28F064M29EWTA
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (8M x 8, 4M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-BGA (6x8)

¥39.38689

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EDF8132A3PK-GD-F-D
EDF8132A3PK-GD-F-D
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 8Gb (256M x 32) 电源电压: 1.14伏~1.95伏 时钟频率: 800 MHz

¥61.62259

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M29W128GH60ZA6E
M29W128GH60ZA6E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8, 8M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-TBGA (10x13)

¥64.01275

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合计: ¥64.01275

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EDF8164A3MC-GD-F-D
EDF8164A3MC-GD-F-D
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 8Gb (128M x 64) 电源电压: 1.14伏~1.95伏 时钟频率: 800 MHz

¥33.01314

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合计: ¥33.01314

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M29W128GH70ZA3E
M29W128GH70ZA3E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8, 8M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-TBGA (10x13)

¥58.04460

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合计: ¥58.04460

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MT40A2G4TRF-107E:A
MT40A2G4TRF-107E:A
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 8Gb (2G x 4) 电源电压: 1.14伏~1.26伏 时钟频率: 933兆赫 供应商设备包装: 78-FBGA (9.5x11.5)

¥67.50383

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PF48F4000P0ZBQEF
PF48F4000P0ZBQEF
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 1.7伏~2伏 时钟频率: 52 MHz 供应商设备包装: 88-SCSP (8x11)

¥22.01842

9000

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MT29F512G08CMCABH7-6:A
MT29F512G08CMCABH7-6:A
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Gb (64G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 152-TBGA (14x18)

¥71.58882

0

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合计: ¥71.58882

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N25Q128A23B1241E
N25Q128A23B1241E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (32M x 4) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 24-T-PBGA (6x8)

¥164.80495

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合计: ¥164.80495

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PF48F4000P0ZTQEJ
PF48F4000P0ZTQEJ
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 1.7伏~2伏 时钟频率: 52 MHz 供应商设备包装: 88-SCSP (8x11)

¥46.19522

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合计: ¥46.19522

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MT40A512M8HX-083E:A
MT40A512M8HX-083E:A
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (512M x 8) 电源电压: 1.14伏~1.26伏 时钟频率: 1.2千兆赫 供应商设备包装: 78-FBGA (9x11.5)

¥313.66103

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合计: ¥313.66103

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EDFA364A3MA-GD-F-D
EDFA364A3MA-GD-F-D
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 16Gb (256M x 64) 电源电压: 1.14伏~1.95伏 时钟频率: 800 MHz

¥9.76343

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合计: ¥9.76343

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M29W128GH7AN6E
M29W128GH7AN6E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8, 8M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 56-TSOP

¥27.39844

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