品牌介绍
onsemi正在推动节能创新，使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合，以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/航空航天和电源应用中的独特设计挑战。onsemi在北美、欧洲和亚太地区的关键市场运营着一个反应迅速、可靠、世界一流的供应链和质量计划，以及一个由制造设施、销售办事处和设计中心组成的网络。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MOSFET N-CHANNEL 40V 101A DPAK | ¥15.99232 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥15.99232 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | MOSFET P-CH 50V 70MA SMCP3 | ¥10.14006 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥10.14006 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | MOSFET N-CH 40V 120A SO8FL | ¥3.91117 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,170.69713 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 250伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 350毫安 (Ta) 最大功耗: 1W（Ta） 供应商设备包装: 3英里/小时 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥29.59449 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥29.59449 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 400伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.1A（Tc） 最大功耗: 37W (Tc) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥1.81073 | 5000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,176.49145 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 33A (Tc) 最大功耗: 120W（Tc） 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥11.77587 | 5600 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥9,420.69520 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | MOSFET N-CH 600V 23A TO220 | ¥21.80113 | 719 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥21.80113 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 8.2A (Tc) 最大功耗: 94W（Tc） 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥5.72189 | 87195 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,174.31858 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | MOSFET N-CH 20V 0.915A SC75 | ¥8.27139 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8.27139 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | MOSFET N-CH 60V 26A SO8FL | ¥3.40416 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,165.04767 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 800毫安 (Ta) 最大功耗: 26W（Tc） 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥1.23129 | 22500 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,220.02128 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | MOSFET N-CH 60V 20A 8WDFN | ¥2.82473 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,189.16652 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 300毫安 (Tc) 最大功耗: 2W（Tc） 供应商设备包装: SOT-223 (TO-261) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥14.67412 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥14.67412 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | MOSFET N-CH 20V SC75 | ¥0.50700 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥370.11219 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 400伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 500毫安 (Tc) 最大功耗: 2W（Tc） 供应商设备包装: SOT-223 (TO-261) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥184.49115 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥184.49115 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | MOSFET N-CH 30V 30A U8FL | ¥2.83922 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.83922 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 250毫安（Tc） 最大功耗: 2W（Tc） 供应商设备包装: SOT-223 (TO-261) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥1.23129 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,811.23200 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.4A (Ta) 最大功耗: 660mW (Ta) 供应商设备包装: 6-UDFN (1.6x1.6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥77.87566 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥77.87566 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.4A (Ta) 最大功耗: 660mW (Ta) 供应商设备包装: 6-UDFN (1.6x1.6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥2.96959 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,194.52627 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.8A (Ta) 最大功耗: 630mW (Ta) 供应商设备包装: 6-UDFN (2x2) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥85.82837 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥85.82837 | 添加到BOM 立即询价 |