品牌介绍
onsemi正在推动节能创新，使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合，以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/航空航天和电源应用中的独特设计挑战。onsemi在北美、欧洲和亚太地区的关键市场运营着一个反应迅速、可靠、世界一流的供应链和质量计划，以及一个由制造设施、销售办事处和设计中心组成的网络。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.8A (Ta) 最大功耗: 650mW (Ta) 供应商设备包装: 6-UDFN (2x2) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥2.53502 | 125900 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,152.22774 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | MOSFET N-CH 30V 10.8A SO8FL | ¥10.57463 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,818.83705 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | MOSFET N-CH 30V 10.8A 8DFN DL | ¥6.60553 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6.60553 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | MOSFET N-CH 30V 12A 8DFN DL | ¥5.93918 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,167.79997 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 115毫安（Tc） 最大功耗: 225毫瓦（Ta） 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥8.21345 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8.21345 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | MOSFET N-CH 30V 12A 8DFN DL | ¥17.29605 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥17.29605 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 115毫安（Tc） 最大功耗: 225毫瓦（Ta） 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥23.42354 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥23.42354 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 16A (Ta), 191A (Tc) 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | ¥12.16807 | 16500 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,178.08489 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 17.5A（Ta）、65A（Tc） 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | ¥9.12605 | 10500 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,181.12691 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 17.5A（Ta）、65A（Tc） 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | ¥6.27235 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6.27235 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 17.5A（Ta）、65A（Tc） 最大功耗: 1.63W（Ta），22.73W（Tc） 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥2.60744 | 2260000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,174.60830 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | MOSFET N-CH 30V 46A 5DFN | ¥74.81916 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥74.81916 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | MOSFET N-CH 30V 46A 5DFN | ¥17.25259 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥17.25259 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | MOSFET N-CH 30V 38A 5DFN | ¥2.67987 | 19500 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,149.25815 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | MOSFET N-CH 30V 38A 5DFN | ¥3.40416 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3.40416 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 11.9A（Ta）、78A（Tc） 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | ¥53.27877 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥53.27877 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | MOSFET N-CH 30V 69A 5DFN | ¥3.47659 | 7500 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,183.29978 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | MOSFET N-CH 30V 69A 5DFN | ¥7.40224 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7.40224 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | MOSFET N-CH 30V 52A 5DFN | ¥3.33173 | 10500 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,185.61750 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 250伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 25.5A（Tc） 最大功耗: 417W (Tc) 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥57.97217 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥57.97217 | 添加到BOM 立即询价 |