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品牌介绍

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/航空航天和电源应用中的独特设计挑战。onsemi在北美、欧洲和亚太地区的关键市场运营着一个反应迅速、可靠、世界一流的供应链和质量计划,以及一个由制造设施、销售办事处和设计中心组成的网络。

英文全称: onsemi

中文全称: 安盛美

英文简称: onsemi

品牌地址: http://www.onsemi.com/

久芯自营
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描述
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FDMS86381-F085
FDMS86381-F085
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 80 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 30A (Tc) 最大功耗: 50W (Tj) 供应商设备包装: Power56 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥113.04718

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥113.04718

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NVD5484NLT4G
NVD5484NLT4G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 10.7A(Ta)、54A(Tc) 最大功耗: 3.9W (Ta), 100W (Tc) 供应商设备包装: DPAK-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥3.76631

1340

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,173.15972

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2SK4197LS
2SK4197LS
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.5A(Tc) 最大功耗: 2W(Ta),28W(Tc) 供应商设备包装: TO-220FI(LS) 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥7.67747

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥767.74740

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NTMFS4C09NBT3G
NTMFS4C09NBT3G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 最大功耗: 760mW (Ta) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥18.16519

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥18.16519

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SFT1341-TL-E
SFT1341-TL-E
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 10A(Ta) 最大功耗: 1W(Ta),15W(Tc) 供应商设备包装: DPAK/TP-FA 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥93.91144

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥93.91144

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3LN01SS-TL-E
3LN01SS-TL-E
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 150毫安(Ta) 最大功耗: 150mW(Ta) 供应商设备包装: 3-sfp 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥0.50700

127790

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,089.35936

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FDMS9411L-F085
FDMS9411L-F085
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 30A (Tc) 最大功耗: 50W (Tj) 供应商设备包装: Power56 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥46.34007

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥46.34007

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NVD5805NT4G
NVD5805NT4G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 51A (Tc) 最大功耗: 47W (Tc) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥78.35369

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥78.35369

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2SK4198LS
2SK4198LS
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 5A (Tc) 最大功耗: 2W(Ta),30W(Tc) 供应商设备包装: TO-220FI(LS) 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥32.72342

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥32.72342

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NTMFS4C10NBT3G
NTMFS4C10NBT3G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 16.4A(Ta)、46A(Tc) 最大功耗: 2.51W(Ta),23.6W(Tc) 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥20.25115

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥20.25115

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SFT1342-TL-E
SFT1342-TL-E
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A(Ta) 最大功耗: 1W(Ta),15W(Tc) 供应商设备包装: DPAK/TP-FA 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥3.47659

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,183.29978

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3LP01S-TL-E
3LP01S-TL-E
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 100毫安(Ta) 最大功耗: 150mW(Ta) 供应商设备包装: SMCP 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥0.50700

216000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,089.35936

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FDC021N30
FDC021N30
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.1A (Ta) 最大功耗: 700mW (Ta) 供应商设备包装: SuperSOT-6. 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥118.56627

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥118.56627

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NVD6414ANT4G
NVD6414ANT4G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 32A (Tc) 最大功耗: 100W(Tc) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥3.54902

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,774.51050

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2SK4209
2SK4209
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 800 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A(Ta) 最大功耗: 2.5W(Ta)、190W(Tc) 供应商设备包装: TO-3PB 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥100.71977

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥100.71977

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NVD3055L104T4G-VF01
NVD3055L104T4G-VF01
MOSFET N-CH 60V DPAK

¥32.72342

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥32.72342

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SFT1452-H
SFT1452-H
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 250伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3A (Ta) 最大功耗: 1W (Ta), 26W (Tc) 供应商设备包装: IPAK/TP 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥2.46259

1500

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,154.76275

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5LN01M-TL-H
5LN01M-TL-H
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 50 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 100毫安(Ta) 最大功耗: 150mW(Ta) 供应商设备包装: MCP 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥0.43457

23000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,089.43179

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FDMS86580-F085
FDMS86580-F085
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 50A (Tc) 最大功耗: 75W (Tj) 供应商设备包装: Power56 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥5.69292

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥5.69292

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NVD6415ANT4G
NVD6415ANT4G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 23A(Tc) 最大功耗: 83W (Tc) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥2.96959

8113

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,197.49586

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