品牌介绍
onsemi正在推动节能创新，使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合，以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/航空航天和电源应用中的独特设计挑战。onsemi在北美、欧洲和亚太地区的关键市场运营着一个反应迅速、可靠、世界一流的供应链和质量计划，以及一个由制造设施、销售办事处和设计中心组成的网络。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 场效应管类型: 2个N和2个P通道（H桥） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 100V、80V 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.4A、2.6A 供应商设备包装: 12-MLP（5x4.5） 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥11.80593 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥11.80593 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2个P通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 340毫安 供应商设备包装: SuperSOT-6. 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥3.76631 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3.76631 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 11.7A（Ta）、36A（Tc） 供应商设备包装: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥8.32934 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8.32934 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | N-CHANNEL MOSFET | ¥0.65186 | 310000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,089.86637 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6A, 8.5A 供应商设备包装: 8-Power33 (3x3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥9.27091 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥9.27091 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 9A, 28V, N-CHANNEL MOSFET | ¥7.24290 | 108679 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,180.11290 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | N CHANNEL AND P CHANNEL SILICON | ¥0.65186 | 6000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,089.86637 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.7A、1.9A 供应商设备包装: SuperSOT-6. 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥3.83874 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3.83874 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2 N通道（双通道）不对称 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 13A、25A 供应商设备包装: Power56 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥12.60265 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥12.60265 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | P-CHANNEL SILICON MOSFET | ¥0.72429 | 138000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,089.57665 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 80V 漏源电流 (Id) @ 温度: 14A（Ta）、74A（Tc） 供应商设备包装: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥14.77552 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥14.77552 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.6A，1A 供应商设备包装: 6-MCPH 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥0.72429 | 57000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,089.57665 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.5A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥14.92037 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥14.92037 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | P-CHANNEL SILICON MOSFET | ¥0.72429 | 18000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,089.57665 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 750毫安 供应商设备包装: SC-88（SC-70-6） 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥4.20088 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4.20088 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 80V 漏源电流 (Id) @ 温度: 9.4A (Ta), 31A (Tc) 供应商设备包装: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥9.48820 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥9.48820 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 15.5A（Ta）、68A（Tc） 供应商设备包装: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥13.76151 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥13.76151 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.5A 供应商设备包装: SuperSOT-6. 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥4.34574 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4.34574 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2 N通道（双）公共漏极 场效应管特性: 逻辑电平门，2.5V驱动 漏源电压标 (Vdss): 24伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6A 供应商设备包装: 6-CPH 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥3.25931 | 1799 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3.25931 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | N-CHANNEL MOSFET | ¥0.86915 | 64000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,089.43179 | 添加到BOM 立即询价 |