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品牌介绍

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/航空航天和电源应用中的独特设计挑战。onsemi在北美、欧洲和亚太地区的关键市场运营着一个反应迅速、可靠、世界一流的供应链和质量计划,以及一个由制造设施、销售办事处和设计中心组成的网络。

英文全称: onsemi

中文全称: 安盛美

英文简称: onsemi

品牌地址: http://www.onsemi.com/

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品牌型号
描述
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操作
FJE3303H1TU
FJE3303H1TU
晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 1.5 A 集电极击穿电压: 400伏 最大功率: 20瓦 特征频率: 4MHz 供应商设备包装: TO-126-3

¥4.63546

4765

5-7 工作日

- +

合计: ¥4.63546

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SBCP53-10T1G
SBCP53-10T1G
晶体管类别: 即插即用 最大集电极电流 (Ic): 1.5 A 集电极击穿电压: 80 V 最大功率: 1.5瓦 特征频率: 50MHz 供应商设备包装: SOT-223 (TO-261)

¥3.04202

1489

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.04202

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2SC3150M
2SC3150M
NPN SILICON TRANSISTOR

¥2.67987

9305

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,149.25815

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MMBT5401-D87Z
MMBT5401-D87Z
晶体管类别: 即插即用 最大集电极电流 (Ic): 600 mA 集电极击穿电压: 150伏 最大功率: 350毫瓦 特征频率: 300MHz 供应商设备包装: SOT-23-3

¥0.21729

100000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,022.07282

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BD13616S
BD13616S
晶体管类别: 即插即用 最大集电极电流 (Ic): 1.5 A 集电极击穿电压: 45伏 最大功率: 1.25瓦 供应商设备包装: TO-126-3

¥4.63546

10284

5-7 工作日

- +

合计: ¥4.63546

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MUN5234T1G
MUN5234T1G
MUN5234 - NPN BIPOLAR DIGITAL TR

¥0.21729

93000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,590.06104

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BD135G
BD135G
晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 1.5 A 集电极击穿电压: 45伏 最大功率: 1.25瓦 供应商设备包装: TO-126

¥4.92517

933

5-7 工作日

- +

合计: ¥4.92517

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BCP56-16T3G
BCP56-16T3G
晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 1A 集电极击穿电压: 80 V 最大功率: 1.5瓦 特征频率: 130MHz 供应商设备包装: SOT-223 (TO-261)

¥3.04202

1506

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.04202

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2N5088TAR
2N5088TAR
晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 30伏 最大功率: 625 mW 特征频率: 50MHz 供应商设备包装: TO-92-3

¥0.21729

86000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,214.80639

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KSA708CYTA
KSA708CYTA
晶体管类别: 即插即用 最大集电极电流 (Ic): 700 mA 集电极击穿电压: 60 V 最大功率: 800 mW 特征频率: 50MHz 供应商设备包装: TO-92-3

¥3.47659

23337

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.47659

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2SB1223
2SB1223
POWER BIPOLAR TRANSISTOR, PNP

¥2.67987

8540

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,149.25815

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MJE180STU
MJE180STU
晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 3A 集电极击穿电压: 40伏 最大功率: 1.5瓦 特征频率: 50MHz 供应商设备包装: TO-126-3

¥4.99760

4372

5-7 工作日

- +

合计: ¥4.99760

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2SD2324-TB-E
2SD2324-TB-E
BIP NPN 0.8A 15V

¥1.37615

66000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,205.97005

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2SB1133R
2SB1133R
POWER BIPOLAR TRANSISTOR, PNP

¥2.67987

5050

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,149.25815

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MJD117-1G
MJD117-1G
晶体管类别: PNP-达林顿 最大集电极电流 (Ic): 2A 集电极击穿电压: 100伏 最大功率: 1.75瓦 特征频率: 25兆赫 供应商设备包装: I-PAK

¥0.70108

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.70108

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KST3904MTF
KST3904MTF
晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 200毫安 集电极击穿电压: 40伏 最大功率: 350毫瓦 特征频率: 300MHz 供应商设备包装: SOT-23-3

¥0.14486

596060

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,172.87000

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2SB927T-AE
2SB927T-AE
2SB927 - PNP EPITAXIAL PLANAR SI

¥0.72429

8000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,089.57665

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SMSD1819A-RT1G
SMSD1819A-RT1G
晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 供应商设备包装: SC-70-3(SOT323)

¥0.21729

81000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,279.34063

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BD138G
BD138G
晶体管类别: 即插即用 最大集电极电流 (Ic): 1.5 A 集电极击穿电压: 60 V 最大功率: 1.25瓦 供应商设备包装: TO-126

¥2.96887

28

2-3 工作日

- +

合计: ¥2.96887

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NSS12200LT1G
NSS12200LT1G
晶体管类别: 即插即用 最大集电极电流 (Ic): 2A 集电极击穿电压: 12伏 最大功率: 460毫瓦 特征频率: 100MHz 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236)

¥4.13570

10

2-3 工作日

- +

合计: ¥4.13570

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