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品牌介绍

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/航空航天和电源应用中的独特设计挑战。onsemi在北美、欧洲和亚太地区的关键市场运营着一个反应迅速、可靠、世界一流的供应链和质量计划,以及一个由制造设施、销售办事处和设计中心组成的网络。

英文全称: onsemi

中文全称: 安盛美

英文简称: onsemi

品牌地址: http://www.onsemi.com/

久芯自营
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描述
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操作
2SA1346-AC
2SA1346-AC
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR

¥1.30372

7500

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,212.41623

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NSVMSB92T1G
NSVMSB92T1G
NSVMSB92 - HIGH VOLTAGE PNP BIPO

¥0.57943

45000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,089.43179

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NJW1302G
NJW1302G
晶体管类别: 即插即用 最大集电极电流 (Ic): 15A 集电极击穿电压: 250伏 最大功率: 200瓦 特征频率: 30MHz 供应商设备包装: TO-3P-3L

¥29.76832

71

5-7 工作日

- +

合计: ¥29.76832

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FP216-TL-E
FP216-TL-E
BIP NPN+NPN 1A 100V

¥2.60744

5000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,151.14130

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BC33725TF
BC33725TF
晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 800 mA 集电极击穿电压: 45伏 最大功率: 625 mW 特征频率: 100MHz 供应商设备包装: TO-92-3

¥2.67987

9591

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.67987

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KST4401MTF
KST4401MTF
晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 600 mA 集电极击穿电压: 40伏 最大功率: 350毫瓦 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: SOT-23-3

¥0.21729

789992

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,089.43179

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NSBA123EDXV6T1G
NSBA123EDXV6T1G
NSBA123 - 50V DUAL PNP BIPOLAR D

¥0.57943

36000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,259.20537

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PZTA28
PZTA28
晶体管类别: NPN-达林顿 最大集电极电流 (Ic): 800 mA 集电极击穿电压: 80 V 最大功率: 1 W 特征频率: 125MHz 供应商设备包装: SOT-223-4

¥2.97312

0

2-3 工作日

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合计: ¥2.97312

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MJH11019G
MJH11019G
晶体管类别: PNP-达林顿 最大集电极电流 (Ic): 15A 集电极击穿电压: 200伏 最大功率: 150瓦 特征频率: 3MHz 供应商设备包装: TO-247-3

¥36.14207

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥36.14207

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BD13716S
BD13716S
晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 1.5 A 集电极击穿电压: 60 V 最大功率: 1.25瓦 供应商设备包装: TO-126-3

¥4.05602

1390

5-7 工作日

- +

合计: ¥4.05602

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KSD5041QTA
KSD5041QTA
晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 5 A 集电极击穿电压: 20伏 最大功率: 750 mW 特征频率: 150MHz 供应商设备包装: TO-92-3

¥0.57943

20000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,089.43179

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FJT44TF
FJT44TF
晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 300毫安 集电极击穿电压: 400伏 最大功率: 2 W 供应商设备包装: SOT-223-4

¥4.12845

29734

5-7 工作日

- +

合计: ¥4.12845

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MJ15016G
MJ15016G
晶体管类别: 即插即用 最大集电极电流 (Ic): 15A 集电极击穿电压: 120伏 最大功率: 115瓦 特征频率: 18MHz 供应商设备包装: TO-204 (TO-3)

¥45.34055

3486

5-7 工作日

- +

合计: ¥45.34055

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NSVBCW68GLT1G
NSVBCW68GLT1G
晶体管类别: 即插即用 最大集电极电流 (Ic): 800 mA 集电极击穿电压: 45伏 最大功率: 225毫瓦 特征频率: 100MHz 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236)

¥3.62145

166

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.62145

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2SC5476
2SC5476
POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN

¥2.60744

3800

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,151.14130

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2SB1124T-TD-E
2SB1124T-TD-E
晶体管类别: 即插即用 最大集电极电流 (Ic): 3A 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 500 mW 特征频率: 150MHz 供应商设备包装: PCP

¥4.05602

1295

5-7 工作日

- +

合计: ¥4.05602

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2SB1226
2SB1226
POWER BIPOLAR TRANSISTOR, PNP

¥2.60744

3690

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,151.14130

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50A02SS-TL-E
50A02SS-TL-E
晶体管类别: 即插即用 最大集电极电流 (Ic): 400毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 690MHz 供应商设备包装: 3-sfp

¥3.04202

24768

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.04202

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FJN4305RTA
FJN4305RTA
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR,

¥0.21729

314000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,089.43179

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FJPF13007H1TTU
FJPF13007H1TTU
晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 8 A 集电极击穿电压: 400伏 最大功率: 40瓦 特征频率: 4MHz 供应商设备包装: TO-220F-3

¥2.67987

32000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,176.05688

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