品牌介绍
onsemi正在推动节能创新，使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合，以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/航空航天和电源应用中的独特设计挑战。onsemi在北美、欧洲和亚太地区的关键市场运营着一个反应迅速、可靠、世界一流的供应链和质量计划，以及一个由制造设施、销售办事处和设计中心组成的网络。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SOT-23-3 | ¥1.23726 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.23726 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SOT-23-3 | ¥0.76094 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥0.76094 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: 即插即用 最大集电极电流 (Ic): 10A 集电极击穿电压: 60 V 最大功率: 75 W 特征频率: 2MHz 供应商设备包装: TO-220-3 | ¥3.57799 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3.57799 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: NPN-达林顿 最大集电极电流 (Ic): 5 A 集电极击穿电压: 100伏 最大功率: 1.5瓦 供应商设备包装: TO-220-3 | ¥1.49204 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.49204 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: 即插即用 最大集电极电流 (Ic): 10A 集电极击穿电压: 80 V 最大功率: 1.67瓦 特征频率: 40MHz 供应商设备包装: TO-220-3 | ¥2.23081 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.23081 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SOT-323 | ¥0.93959 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥0.93959 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SOT-323 | ¥2.04250 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.04250 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SOT-323 | ¥1.22840 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.22840 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SOT-323 | ¥1.75278 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.75278 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 230毫瓦 供应商设备包装: SC-59 | ¥0.14486 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥434.57400 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | MOSFET 2N-CH 25V 13A/27A 8PQFN | ¥13.03722 | 171945 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,177.21574 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 74A 供应商设备包装: 12-PQFN（3.3x3.3） 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥1,377.19398 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,377.19398 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2个P通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.9A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥5.50460 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,179.82318 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 62V 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.3A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥1,225.78840 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,225.78840 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.4A 供应商设备包装: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥3.94014 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3.94014 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 260毫瓦 供应商设备包装: SOT-723 | ¥0.21729 | 272118 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,117.67910 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 260毫瓦 供应商设备包装: SOT-723 | ¥0.21729 | 387342 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,117.67910 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 二极管种类: 单相 技术: 标准 最大反向峰值电压: 600 V 整流平均值 (Io): 8 A 供应商设备包装: GBU 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥21.00441 | 9424 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥21.00441 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥4.67891 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4.67891 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 二极管种类: 标准 二极管架构（配置）: 1对公共阴极 最大直流反向电压 (Vr): 200伏 单二极管整流平均值 (Io): 8A 供应商设备包装: TO-220 工作结温: -65摄氏度~175摄氏度 | ¥12.74750 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥12.74750 | 添加到BOM 立即询价 |