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品牌介绍

1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。

英文全称: Infineon Technologies

中文全称: 英飞凌

英文简称: Infineon

品牌地址: http://www.infineon.com/

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CY7C1347G-166AXCT
CY7C1347G-166AXCT
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.15伏~3.6伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x20)

¥46.96927

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S29GL512S10TFI013
S29GL512S10TFI013
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 56-TSOP

¥51.60566

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CY15B016Q-SXE
CY15B016Q-SXE
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FRAM 存储容量: 16Kb (2K x 8) 电源电压: 2.7V ~ 3.65V 时钟频率: 16兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

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S70GL02GT12FHIV10
S70GL02GT12FHIV10
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 2Gb (256M x 8, 128M x 16) 电源电压: 1.65伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-FBGA (11x13)

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CG5125AF
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S29GL512S10DHI013
S29GL512S10DHI013
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-FBGA (9x9)

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CY7C1350G-133AXCT
CY7C1350G-133AXCT
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x20)

¥46.96927

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CY62147GE30-45BVXIT
CY62147GE30-45BVXIT
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 2.2伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-VFBGA (6x8)

¥40.41538

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S29AS016J70BHI042
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存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 16Mb (2M x 8, 1M x 16) 电源电压: 1.65伏~1.95伏 供应商设备包装: 48-FBGA (8.15x6.15)

¥13.11747

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S25FS128SAGBHM203
S25FS128SAGBHM203
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 1.7伏~2伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 24-BGA (8x6)

¥41.33813

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S29GL512S10DHI023
S29GL512S10DHI023
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-FBGA (9x9)

¥51.60566

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S29JL032J70TFA020
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存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (4M x 8, 2M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP

¥26.32693

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CY7C1350G-133AXIT
CY7C1350G-133AXIT
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x20)

¥46.96927

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S70GL02GS11FHI020
S70GL02GS11FHI020
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 2Gb (128M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-FBGA (13x11)

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S79FL512SDSMFBG03
S79FL512SDSMFBG03
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 80 MHz 供应商设备包装: 16-SOIC

¥49.54144

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S29GL512S10DHSS13
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存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-FBGA (9x9)

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S29GL032N11FFIS33
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存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (4M x 8, 2M x 16) 电源电压: 1.65伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-FBGA (13x11)

¥8.22902

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CY7C1011G30-10BAJXE
CY7C1011G30-10BAJXE
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 2Mb (128K x 16) 电源电压: 2.2伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-FBGA (6x8)

¥35.85236

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S29GL512S10DHSS23
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存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-FBGA (9x9)

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S29GL032N90FFIS43
S29GL032N90FFIS43
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (4M x 8, 2M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-FBGA (13x11)

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