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品牌介绍

1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。

英文全称: Infineon Technologies

中文全称: 英飞凌

英文简称: Infineon

品牌地址: http://www.infineon.com/

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描述
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CY7C1046B-15VC
CY7C1046B-15VC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (1M x 4) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-SOJ

¥41.06724

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S29GL01GT10DHI010
S29GL01GT10DHI010
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-FBGA (9x9)

¥135.57188

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CY7C1021CV26-15ZSXET
CY7C1021CV26-15ZSXET
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 2.5伏~2.7伏 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥35.85236

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S29GL128S10FAIV13
S29GL128S10FAIV13
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (8M x 16) 电源电压: 1.65伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-FBGA (13x11)

¥27.66657

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S29GL01GT11TFIV10
S29GL01GT11TFIV10
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 1.65伏~3.6伏 供应商设备包装: 56-TSOP

¥101.83517

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S29GL128S10FAIV23
S29GL128S10FAIV23
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (8M x 16) 电源电压: 1.65伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-FBGA (13x11)

¥27.66657

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CY14B512Q2A-SXIT
CY14B512Q2A-SXIT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: NVSRAM 存储容量: 512Kb (64K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 40兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥54.21311

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合计: ¥135,532.76750

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S29PL032J70BFI072
S29PL032J70BFI072
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (2M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 56-FBGA (9x7)

¥28.99500

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S29GL128S10FHIV13
S29GL128S10FHIV13
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (8M x 16) 电源电压: 1.65伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-FBGA (13x11)

¥27.66657

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CY7C166-20VCT
CY7C166-20VCT
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 64Kb (16K x 4) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 24-SOJ

¥9.77792

24000

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合计: ¥2,170.69713

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CY7C131-55JI
CY7C131-55JI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 8Kb (1K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 52-PLCC (19.13x19.13)

¥41.06724

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合计: ¥574.94140

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S25FL128LAGBHM020
S25FL128LAGBHM020
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 24-BGA (8x6)

¥37.66909

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CY62137CV30LL-55BVIT
CY62137CV30LL-55BVIT
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 2Mb (128K x 16) 电源电压: 2.7伏~3.3伏 供应商设备包装: 48-VFBGA (6x8)

¥9.77792

1330

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S25FL128LAGMFM000
S25FL128LAGMFM000
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 16-SOIC

¥37.66909

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合计: ¥9,040.58208

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S29GL128S10FHIV23
S29GL128S10FHIV23
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (8M x 16) 电源电压: 1.65伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-FBGA (13x11)

¥27.66657

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合计: ¥44,266.51840

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S26KL128SDABHA030
S26KL128SDABHA030
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 24-FBGA (6x8)

¥42.31657

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合计: ¥14,303.00100

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S25FL128SAGMFV011
S25FL128SAGMFV011
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 16-SOIC

¥23.92714

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合计: ¥16,868.63158

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CY62137CVSL-70BAIT
CY62137CVSL-70BAIT
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 2Mb (128K x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-FBGA(7x7)

¥9.77792

255

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合计: ¥2,493.36833

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S25FL128LAGBHB023
S25FL128LAGBHB023
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 24-BGA (8x6)

¥26.16114

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合计: ¥65,402.84500

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S29GL128S10TFB020
S29GL128S10TFB020
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (8M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 56-TSOP

¥37.68814

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