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品牌介绍

1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。

英文全称: Infineon Technologies

中文全称: 英飞凌

英文简称: Infineon

品牌地址: http://www.infineon.com/

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CY62128BLL-70ZAE
CY62128BLL-70ZAE
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-TSOP

¥8.25691

2410

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合计: ¥2,171.56628

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S25FL128SAGNFM000
S25FL128SAGNFM000
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-WSON (6x8)

¥51.27973

0

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CY7C1019BV33-15ZC
CY7C1019BV33-15ZC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 32-TSOP II

¥8.25691

1802

5-7 工作日

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合计: ¥2,171.56628

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S29JL064J70BHI000
S29JL064J70BHI000
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (8M x 8, 4M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-FBGA (8.15x6.15)

¥51.85916

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S29GL128P11TFI020
S29GL128P11TFI020
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 56-TSOP

¥47.87557

412

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CY7C199-20ZI
CY7C199-20ZI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-TSOP I

¥8.40176

19158

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CY62126DV30L-55ZIT
CY62126DV30L-55ZIT
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 2.2伏~3.6伏 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥8.40176

10000

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CY62146EV30LL-45ZSXI
CY62146EV30LL-45ZSXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 2.2伏~3.6伏 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥20.09253

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CY62126DV30L-55ZI
CY62126DV30L-55ZI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 2.2伏~3.6伏 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥8.40176

3451

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S29GL256S90FHI020
S29GL256S90FHI020
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-FBGA (13x11)

¥55.26333

9

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CY62128DV30L-55ZAI
CY62128DV30L-55ZAI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 2.2伏~3.6伏 供应商设备包装: 32-TSOP

¥8.54662

5093

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CY7C199L-15VC
CY7C199L-15VC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-SOJ

¥8.54662

389

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合计: ¥2,187.93523

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S70KS1281DPBHI020
S70KS1281DPBHI020
存储类型: Volatile 存储格式: PSRAM 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 24-FBGA (6x8)

¥55.69790

70

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合计: ¥55.69790

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CY62136CV30LL-70BVXI
CY62136CV30LL-70BVXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 2Mb (128K x 16) 电源电压: 2.7伏~3.3伏 供应商设备包装: 48-VFBGA (6x8)

¥8.61905

1512

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合计: ¥2,189.23895

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CY7C1049GN30-10ZSXI
CY7C1049GN30-10ZSXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 2.2伏~3.6伏 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥55.84276

192

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合计: ¥55.84276

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CY62137CV18LL-55BAI
CY62137CV18LL-55BAI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 2Mb (128K x 16) 电源电压: 1.65伏~1.95伏 供应商设备包装: 48-FBGA(7x7)

¥8.69148

22448

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合计: ¥2,181.56148

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CY62137CV30LL-55BAI
CY62137CV30LL-55BAI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 2Mb (128K x 16) 电源电压: 2.7伏~3.3伏 供应商设备包装: 48-FBGA(7x7)

¥8.69148

17513

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合计: ¥2,181.56148

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S25FL256SDSBHV200
S25FL256SDSBHV200
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 80 MHz 供应商设备包装: 24-BGA (8x6)

¥9.99520

13

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合计: ¥9.99520

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S25FS256SDSBHV200
S25FS256SDSBHV200
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 1.7伏~2伏 时钟频率: 80 MHz 供应商设备包装: 24-BGA (8x6)

¥41.06724

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S29GL256S90DHI020
S29GL256S90DHI020
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-FBGA (9x9)

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