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品牌介绍

1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。

英文全称: Infineon Technologies

中文全称: 英飞凌

英文简称: Infineon

品牌地址: http://www.infineon.com/

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品牌型号
描述
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S34MS01G200TFB003
S34MS01G200TFB003
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 供应商设备包装: 48-TSOP

¥124.70825

0

5-7 工作日

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合计: ¥124.70825

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S25FL064P0XBHI023
S25FL064P0XBHI023
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (8M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 24-BGA (8x6)

¥24.65483

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合计: ¥24.65483

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S34ML01G200BHB003
S34ML01G200BHB003
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 63-BGA (11x9)

¥29.58000

0

5-7 工作日

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合计: ¥29.58000

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S34ML01G204TFA013
S34ML01G204TFA013
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP

¥83.46718

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5-7 工作日

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合计: ¥83.46718

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S25FL132K0XMFA013
S25FL132K0XMFA013
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (4M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥6.66347

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合计: ¥6.66347

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S34ML02G200BHA000
S34ML02G200BHA000
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 2Gb (256M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 63-BGA (11x9)

¥227.49949

0

5-7 工作日

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合计: ¥227.49949

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S34ML02G200BHA003
S34ML02G200BHA003
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 2Gb (256M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 63-BGA (11x9)

¥27.97208

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥27.97208

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S34ML02G200BHB003
S34ML02G200BHB003
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 2Gb (256M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 63-BGA (11x9)

¥31.47764

0

5-7 工作日

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合计: ¥31.47764

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S25FL132K0XMFN013
S25FL132K0XMFN013
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (4M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥139.25200

0

5-7 工作日

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合计: ¥139.25200

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S25FL129P0XNFI003M
S25FL129P0XNFI003M
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 8-WSON (6x8)

¥32.30333

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥32.30333

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CY7C166-15VC
CY7C166-15VC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 64Kb (16K x 4) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 24-SOJ

¥29.91318

2893

5-7 工作日

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合计: ¥2,183.66192

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S25FL129P0XNFI011M
S25FL129P0XNFI011M
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 8-WSON (6x8)

¥33.94023

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥33.94023

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CY7C1009BN-15VI
CY7C1009BN-15VI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-SOJ

¥15.42738

2104

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,175.26016

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CY7C1314BV18-200BZXC
CY7C1314BV18-200BZXC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥224.02290

1757

5-7 工作日

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合计: ¥2,240.22897

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CY7C092694V-12AXI
CY7C092694V-12AXI
IC SRAM 16KX16 3.3V SYNC 100TQFP

¥334.11498

731

5-7 工作日

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合计: ¥2,338.80484

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S34MS04G100BHI000
S34MS04G100BHI000
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Gb (512M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 供应商设备包装: 63-BGA (11x9)

¥127.02598

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥127.02598

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S34MS04G200BHI000
S34MS04G200BHI000
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Gb (512M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 供应商设备包装: 63-BGA (11x9)

¥60.26093

0

5-7 工作日

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合计: ¥60.26093

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CG8223AAT
CG8223AAT
IC SRAM 4MB FAST

¥30.82578

0

5-7 工作日

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合计: ¥30.82578

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S34ML01G100TFI003
S34ML01G100TFI003
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP

¥203.51100

0

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合计: ¥203.51100

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S34ML08G101TFI003
S34ML08G101TFI003
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 8Gb (1G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP I

¥91.08671

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合计: ¥91.08671

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