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品牌介绍

1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。

英文全称: Infineon Technologies

中文全称: 英飞凌

英文简称: Infineon

品牌地址: http://www.infineon.com/

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描述
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CY7C1347D-166AC
CY7C1347D-166AC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.15伏~3.6伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x20)

¥40.27052

203

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,174.60830

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CY7C1361B-100AJC
CY7C1361B-100AJC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x20)

¥40.34295

945

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,178.51946

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CY7C1049BV33-12VCT
CY7C1049BV33-12VCT
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 36-SOJ

¥31.21690

3000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,185.18293

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CY7C1024AV33-10AC
CY7C1024AV33-10AC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 3Mb (128K x 24) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 100-TQFP(14x20)

¥39.32635

1809

2-3 工作日

- +

合计: ¥1,769.68593

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CY7C1327B-100BGC
CY7C1327B-100BGC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (256K x 18) 电源电压: 3.15伏~3.6伏 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥31.21690

855

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,185.18293

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CY7C194-25VC
CY7C194-25VC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (64K x 4) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 24-SOJ

¥40.77753

14076

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,201.98646

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CY7C188-15VCT
CY7C188-15VCT
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 288Kb (32K x 9) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-SOJ

¥48.96200

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,203.29018

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CY62137BV18LL-70BAI
CY62137BV18LL-70BAI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 2Mb (128K x 16) 电源电压: 1.75伏~1.95伏 供应商设备包装: 48-FBGA(7x7)

¥23.17728

6174

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,178.66432

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CY7C1021CV33-15VI
CY7C1021CV33-15VI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-SOJ

¥5.42288

2144

2-3 工作日

- +

合计: ¥1,762.43438

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CY62128BLL-55ZRI
CY62128BLL-55ZRI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-RTSOP

¥18.65427

3998

2-3 工作日

- +

合计: ¥1,753.50138

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CY7C1362C-166BZC
CY7C1362C-166BZC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(512K x 18) 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥49.25172

200

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,216.32740

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CY62147DV30LL-55BVI
CY62147DV30LL-55BVI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 2.2伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-VFBGA (6x8)

¥31.43419

1579

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,200.39302

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CY62126DV30LL-55BVXI
CY62126DV30LL-55BVXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 2.2伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-VFBGA (6x8)

¥6.80833

1791

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,185.47265

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CY62136VLL-55ZI
CY62136VLL-55ZI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 2Mb (128K x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥23.17728

400

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,178.66432

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CY62127DV30LL-70ZIT
CY62127DV30LL-70ZIT
SRAM CHIP ASYNC SINGLE 2.5V/3.3V

¥6.88076

4000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,181.19934

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CY7C1041BV33-25ZC
CY7C1041BV33-25ZC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥31.72390

2270

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,188.94924

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CY7C1021BNL-15ZSXAKJ
CY7C1021BNL-15ZSXAKJ
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥23.17728

239

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,178.66432

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CY62157DV30LL-55BVI
CY62157DV30LL-55BVI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 8Mb (512K x 16) 电源电压: 2.2伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-VFBGA (6x8)

¥4.32989

269

2-3 工作日

- +

合计: ¥190.51529

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CY27C010-120WI
CY27C010-120WI
存储类型: Non-Volatile 存储格式: EPROM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-CERDIP

¥23.17728

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,178.66432

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CY7C1353B-66AC
CY7C1353B-66AC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (256K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 66 MHz 供应商设备包装: 100-TQFP(14x20)

¥49.68629

688

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,186.19694

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