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品牌介绍

1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。

英文全称: Infineon Technologies

中文全称: 英飞凌

英文简称: Infineon

品牌地址: http://www.infineon.com/

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描述
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FF600R12IP4BOSA1
FF600R12IP4BOSA1
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 半桥 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 600 A 最大功率: 3350 W 供应商设备包装: Module

¥4,302.68153

20

5-7 工作日

- +

合计: ¥4,302.68153

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F3L100R07W2E3B11BOMA1
F3L100R07W2E3B11BOMA1
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 三相逆变器 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 117 A 最大功率: 300瓦 供应商设备包装: Module

¥358.92324

1

2-3 工作日

- +

合计: ¥358.92324

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FF600R12IE4BOSA1
FF600R12IE4BOSA1
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 半桥 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 600 A 最大功率: 3350 W 供应商设备包装: Module

¥4,302.68153

15

5-7 工作日

- +

合计: ¥4,302.68153

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FS300R12KE3BOSA1
FS300R12KE3BOSA1
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 三相逆变器 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 500 A 最大功率: 1450 W 供应商设备包装: Module

¥4,811.31815

16

5-7 工作日

- +

合计: ¥4,811.31815

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FP10R12W1T4B29BOMA1
FP10R12W1T4B29BOMA1
IGBT MODULE VCES 600V 100A

¥258.72428

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥6,209.38267

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FF650R17IE4BOSA1
FF650R17IE4BOSA1
参数配置: 2独立 集电极击穿电压: 1700伏 最大功率: 4150 W 供应商设备包装: Module

¥5,055.23548

5

5-7 工作日

- +

合计: ¥5,055.23548

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FS950R08A6P2BBPSA1
FS950R08A6P2BBPSA1
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 三相逆变器 集电极击穿电压: 750 V 最大集电极电流 (Ic): 950 A 最大功率: 870 W 供应商设备包装: AG-HYBRIDD-1

¥7,575.37752

13

5-7 工作日

- +

合计: ¥7,575.37752

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FB30R06W1E3BOMA1
FB30R06W1E3BOMA1
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 三相逆变器 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 39 A 最大功率: 115瓦 供应商设备包装: Module

¥174.86641

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,923.53050

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FF450R33T3E3BPSA1
FF450R33T3E3BPSA1
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 半桥 集电极击穿电压: 3300伏 最大集电极电流 (Ic): 450 A 最大功率: 1000000 W 供应商设备包装: AG-XHP100-3

¥12,876.40829

6

5-7 工作日

- +

合计: ¥12,876.40829

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FF450R33T3E3B5BPSA1
FF450R33T3E3B5BPSA1
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 半桥逆变器 集电极击穿电压: 3300伏 最大集电极电流 (Ic): 450 A 最大功率: 1000000 W 供应商设备包装: AG-XHP100-6

¥13,916.50589

6

5-7 工作日

- +

合计: ¥13,916.50589

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FS50R06W1E3B11BOMA1
FS50R06W1E3B11BOMA1
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 三相逆变器 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 70 A 最大功率: 205瓦 供应商设备包装: Module

¥265.08043

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥6,361.93032

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FZ1500R33HE3BPSA1
FZ1500R33HE3BPSA1
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 全桥 集电极击穿电压: 3300伏 最大集电极电流 (Ic): 1500 A 最大功率: 17000 W 供应商设备包装: Module

¥19,357.94983

3

5-7 工作日

- +

合计: ¥19,357.94983

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FP10R12W1T4PB11BPSA1
FP10R12W1T4PB11BPSA1
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 三相逆变器 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 20A 最大功率: 20毫瓦 供应商设备包装: Module

¥265.51380

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥7,965.41412

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FP20R06W1E3BOMA1
FP20R06W1E3BOMA1
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 三相逆变器 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 27 A 最大功率: 94瓦 供应商设备包装: Module

¥261.97458

15

5-7 工作日

- +

合计: ¥261.97458

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FS25R12W1T7B11BOMA1
FS25R12W1T7B11BOMA1
IGBT MODULE LOW POWER EASY

¥268.98080

9

5-7 工作日

- +

合计: ¥268.98080

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FF300R06KE3HOSA1
FF300R06KE3HOSA1
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 2独立 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 400 A 最大功率: 940瓦 供应商设备包装: Module

¥1,028.82988

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,028.82988

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FP15R12W1T7B3BOMA1
FP15R12W1T7B3BOMA1
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 半桥逆变器 集电极击穿电压: 1200伏 供应商设备包装: AG-EASY1B-2

¥231.40077

1

2-3 工作日

- +

合计: ¥231.40077

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FP30R06W1E3B11BOMA1
FP30R06W1E3B11BOMA1
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 三相逆变器 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 37 A 最大功率: 115瓦 供应商设备包装: Module

¥268.11405

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥6,434.73715

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FP40R12KE3GBOSA1
FP40R12KE3GBOSA1
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 三相逆变器 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 55 A 最大功率: 210瓦 供应商设备包装: Module

¥1,043.70905

1

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,043.70905

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FP10R12W1T4PBPSA1
FP10R12W1T4PBPSA1
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 三相逆变器 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 20A 最大功率: 20毫瓦 供应商设备包装: Module

¥286.82136

22

5-7 工作日

- +

合计: ¥286.82136

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