
Integra Technologies Inc.是一家射频和微波高功率专家,为高性能国防和民用雷达、航空电子、数据链路、工业和医疗应用提供创新解决方案。我们的产品总部位于加利福尼亚州El Segundo,采用100%的美国供应链制造。
图片  | 品牌型号  | 描述  | 价格  | 库存  | 交期  | 数量  | 操作  | 
|---|---|---|---|---|---|---|---|
晶体管类别: 卷边 额定电压: 180伏 频率: 1.03GHz~1.09GHz 输出端功率: 1250W 供应商设备包装: PL84A1   | ¥6,621.02461  | 36 | 5-7 工作日  | -  +  合计: ¥6,621.02461  | 添加到BOM  立即询价  | ||
晶体管类别: 卷边 额定电压: 160伏 频率: 1.2GHz~1.4GHz 输出端功率: 650W 供应商设备包装: PL95A1   | ¥7,375.44507  | 5 | 5-7 工作日  | -  +  合计: ¥7,375.44507  | 添加到BOM  立即询价  | ||
GAN, RF POWER TRANSISTOR, S-BAND   | ¥4,712.37560  | 8 | 5-7 工作日  | -  +  合计: ¥4,712.37560  | 添加到BOM  立即询价  | ||
GAN, RF POWER TRANSISTOR, C-BAND   | ¥5,487.80047  | 8 | 5-7 工作日  | -  +  合计: ¥5,487.80047  | 添加到BOM  立即询价  | ||
GAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BAND   | ¥5,710.01264  | 10 | 5-7 工作日  | -  +  合计: ¥5,710.01264  | 添加到BOM  立即询价  | ||
GAN, RF POWER TRANSISTOR, S-BAND   | ¥5,775.05389  | 10 | 5-7 工作日  | -  +  合计: ¥5,775.05389  | 添加到BOM  立即询价  | ||
GAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BAND   | ¥6,760.01586  | 10 | 5-7 工作日  | -  +  合计: ¥6,760.01586  | 添加到BOM  立即询价  | ||
晶体管类别: 高电子迁移率晶体管 额定电压: 120伏 频率: 1.03GHz~1.09GHz 输出端功率: 80W 供应商设备包装: PL32A2   | ¥1,607.92380  | 20 | 5-7 工作日  | -  +  合计: ¥1,607.92380  | 添加到BOM  立即询价  |