STM32G473程序运行于Flash和Ram速度问题

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比较好奇你是怎么测出来的，这两个型号都是M4内核，但是主频和DMPS略有不同

在RAM区读指令速度应该比从FLASH读指令速度要快一点的。

我用了个100us中断，里面都是相同的算法，之前用的是F405（168MHz），实际运行时间在60us左右；现在换到G473（170MHz），不指定ram的话，测试接近80us了。两个测试都是用DO电平测的。

想知道怎么测试代码在不同区域执行的速度。之前弄到SDRAM执行去了，但是不知道怎么测速度，哪位大佬知道

是否能进一步看看是哪段程序慢了，还是整体慢了？

看看编译出的汇编是不是一样的

不太懂汇编，取了其中一段对比，感觉指令应该是一样的呀。

又对比了1msTask，程序也变慢了20%左右。

昨天图片上传失败了。拿了其中一段对比，感觉指令一样的。（不懂汇编）

G473的架构更加灵活一些。对于程序放在FLASH中运行，需要打开ART加速器和指令预取使能cache功能，这样才能保证指令0等待取指，与之架构相匹配。 而放在RAM里（CCM sram）里，由于指令总线和数据总线直接连接，并且RAM的速度响应快，直接实现指令0等待取指，所以速度实现最快。 具体可参考官方手册相关部分关于总线的介绍和框图。

感谢您，我去查查看。