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什么是光电晶体管:

光电晶体管系列中的产品是分立的光敏元件,其行为方式与双极晶体管类似,但使用入射光而不是通过器件端子施加的电流来使器件导电。与光电二极管相比,光电晶体管通常在相同强度的入射光下产生更大的输出电流,但对光强度变化的响应速度较慢。这些差异导致光电晶体管应用起来更简单,但对于高速操作不太有用。

安装类别:
  • 表面安装
  • 表面安装,直角
  • PCB,通孔
  • 通孔,直角
  • 通孔
  • 用户定义的
更多
工作波长:
  • 880nm
  • 925nm
  • 900nm
  • 890nm
  • 630nm
  • 620nm
  • 570nm
  • 920nm
  • 550nm
  • 935纳米
  • 910纳米
  • 825nm
  • 830nm
  • 600nm
  • 930纳米
  • 800nm
  • 940纳米
  • 870nm
  • 860nm
  • 850nm
  • 950纳米
更多
集电极击穿电压:
  • 50 V
  • 15伏
  • 5 V
  • 6 V
  • 35伏
  • 25伏
  • 12伏
  • 45伏
  • 20伏
  • 32伏
  • 5.5 V
  • 30伏
  • 70 V
更多
最大功率:
  • 150 mW
  • 100 mW
  • 200毫瓦
  • 70 mW
  • 250毫瓦
  • 50 mW
  • 220毫瓦
  • 75 mW
  • 165 mW
  • 125毫瓦
  • 80 mW
  • 300毫瓦
  • 130毫瓦
更多
可视角度:
  • 100°
  • 25°
  • 35°
  • 18°
  • 28°
  • 135°
  • 16°
  • 48°
  • 36°
  • 24°
  • 12°
  • 56°
  • 20°
  • 64°
  • 160°
  • 42°
  • 150°
  • 30°
  • 74°
  • 84°
  • 40°
  • 72°
  • 130°
  • 50°
  • 60°
  • 120°
  • 110°
  • 70°
  • 80°
  • 90°
更多
制造厂商:
  • 斯坦雷 (Stanley)
  • 博通 (Broadcom)
  • NTE电子 (NTE)
  • 松下电子元件 (Panasonic)
  • 朝阳照明科技 (SunLED)
  • 虹晶科技 (Socle)
  • 罗姆 (Rohm)
  • 东裕 (TONYU)
  • 欧司朗 (OSRAM)
  • 夏普株式 (Sharp)
  • 美国光明 (American Bright)
  • 安盛美 (onsemi)
  • 威世半导体 (Vishay Cera-Mite)
  • 埃赛力达 (Excelitas)
  • 霍尼韦尔 (Honeywell)
  • 成兴光 (XINGLIGHT)
  • TT电子 (TT)
  • 松下 (Panasonic)
  • 欧思朗 (OSRAM)
  • 亿光 (Everlight)
  • 欧普泰克 (TT)
  • 今台 (Kingbright)
  • 马克泰克 (Marktech)
  • 夏普 (SHARP)
更多
定向:
  • 侧视图
  • 俯视图
  • 通用的
当前"光电晶体管"共 468 条相关库存
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品牌型号
描述
价格
库存
交期
数量
操作
PT908-7C/F298(BIN4)
PT908-7C/F298(BIN4)
晶体管类型:NPN 集射极击穿电-Vceo:30V 集电极电流-Ic:20mA 峰值波长:860nm 集电极暗电流:100nA

¥0.36416

0

2-3 工作日

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PT234-6B
PT234-6B
集射极击穿电-Vceo:30V 集电极电流-Ic:20mA 峰值波长:940nm 集电极暗电流:100nA

¥0.36827

70

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.36827

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PT204-6B-27
PT204-6B-27
晶体管类型:NPN 集射极击穿电-Vceo:30V 集电极电流-Ic:20mA 峰值波长:940nm 集电极暗电流:100nA

¥0.52326

20

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.52326

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PT928-6C-F(6-1)
PT928-6C-F(6-1)
晶体管类型:NPN 集射极击穿电-Vceo:30V 集电极电流-Ic:40mA 峰值波长:940nm 集电极暗电流:100nA

¥0.41430

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.41430

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PT908-7C(BIN3)
PT908-7C(BIN3)
晶体管类型:NPN 集射极击穿电-Vceo:30V 集电极电流-Ic:20mA 峰值波长:860nm 集电极暗电流:100nA

¥0.40049

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.40049

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PT908-7C/F298(BIN3)
PT908-7C/F298(BIN3)
晶体管类型:NPN 集射极击穿电-Vceo:30V 集电极电流-Ic:20mA 峰值波长:940nm 集电极暗电流:100nA 红外接收三极管(PT)

¥0.31560

0

2-3 工作日

- +

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PT908-7C/F1(BIN4)
PT908-7C/F1(BIN4)
晶体管类型:NPN 集射极击穿电-Vceo:30V 集电极电流-Ic:20mA 峰值波长:940nm 集电极暗电流:100nA

¥0.41271

0

2-3 工作日

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RPM-20PB
RPM-20PB
PHOTOTRANSISTOR, SIDE VIEW TYPE

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5-7 工作日

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