存储器是一种在集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件有多种格式:CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM(非易失性或易失性)。这些器件的内存大小范围为 64 b 至 6 Tb,接口包括 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-Wire。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Gb (32G x 8) 电源电压: 2.5伏~3.6伏 供应商设备包装: Die | ¥156.15692 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥156.15692 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 供应商设备包装: 44-TSOP II | ¥71.19771 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥71.19771 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 2Tb (256G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 267兆赫 | ¥78.84621 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥78.84621 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 供应商设备包装: 44-TSOP II | ¥35.85236 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥35.85236 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 384Gb (48G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: Die | ¥15.34046 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥15.34046 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 供应商设备包装: 44-TSOP II | ¥126.50449 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥126.50449 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 384Gb (48G x 8) 电源电压: 2.5伏~3.6伏 供应商设备包装: Die | ¥480.27670 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥480.27670 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 1.65伏~2.2伏 供应商设备包装: 32-TSOP II | ¥107.80332 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥107.80332 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 1.65伏~2.2伏 供应商设备包装: 32-TSOP II | ¥10.53118 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥10.53118 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 1.65伏~2.2伏 供应商设备包装: 32-TSOP II | ¥127.48953 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥127.48953 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 1.65伏~2.2伏 供应商设备包装: 32-TSOP II | ¥50.41058 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥50.41058 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 1.65伏~2.2伏 供应商设备包装: 32-TSOP I | ¥29.75383 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥29.75383 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 1.65伏~2.2伏 供应商设备包装: 32-TSOP I | ¥26.82770 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥26.82770 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 6Gb (384M x 16) 电源电压: 1.1伏 | ¥69.86501 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥69.86501 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 1.65伏~2.2伏 供应商设备包装: 36-TFBGA (6x8) | ¥72.80563 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥72.80563 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 6Gb (384M x 16) 电源电压: 1.1伏 | ¥15.31149 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥15.31149 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 1.65伏~2.2伏 供应商设备包装: 36-TFBGA (6x8) | ¥453.63731 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥453.63731 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 1.65伏~2.2伏 供应商设备包装: 36-TFBGA (6x8) | ¥43.09526 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥43.09526 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 1.65伏~2.2伏 供应商设备包装: 36-TFBGA (6x8) | ¥241.11614 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥241.11614 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 24-BGA (8x6) | ¥14.54374 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥14.54374 | 添加到BOM 立即询价 |