什么是单绝缘栅双极晶体管（IGBT）:
单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是具有三个端子的多层半导体器件，可以处理高电流并具有快速开关功能。它们的特征包括类型、集电极-发射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
最大集电极电流 (Ic):
- 22A
- 10A
- 80 A
- 61 A
- 180 A
- 42 A
- 84 A
- 16 A
- 26.9 A
- 108 A
- 5 A
- 240 A
- 54 A
- 77 A
- 9.4 A
- 100 A
- 58 A
- 35A
- 104 A
- 72 A
- 130 A
- 53 A
- 95 A
- 30 A
- 37.7 A
- 23 A
- 65 A
- 48A
- 36A
- 24A
- 115 A
- 12A
- 60 A
- 64 A
- 41 A
- 8.5 A
- 34 A
- 11 A
- 120 A
- 8 A
- 76 A
- 5.3 A
- 38 A
- 90 A
- 94 A
- 75 A
- 52 A
- 45 A
- 3.2 A
- 26A
- 135 A
- 49 A
- 116 A
- 140 A
- 200 A
- 40 A
- 63 A
- 208 A
- 280 A
- 14 A
- 7 A
- 144 A
- 9.6 A
- 79 A
- 15A
- 93 A
- 70 A
- 51 A
- 74 A
- 234 A
- 17.5A
- 44 A
- 28A
- 67 A
- 20A
- 85 A
- 160 A
- 220 A
- 17 A
- 15.5 A
- 6.3 A
- 13 A
- 32 A
- 6 A
- 55 A
- 145 A
- 78 A
- 59 A
- 5.5 A
- 92 A
- 21A
- 11.4 A
- 50 A
- 190 A
- 31 A
- 43 A
- 66 A
- 110 A
- 47 A
- 46A
更多
工作温度:
- -40摄氏度~175摄氏度（TJ）
- -55摄氏度~125摄氏度（TJ）
- -40摄氏度~150摄氏度（TJ）
- -65摄氏度~150摄氏度（TJ）
- -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- -65摄氏度~175摄氏度（TJ）
- -40摄氏度~75摄氏度（TJ）
- 175摄氏度（TJ）
- 150摄氏度（TJ）
- -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
更多
集电极击穿电压:
- 345伏
- 400伏
- 1200伏
- 1800伏
- 365伏
- 420伏
- 430伏
- 1600伏
- 1400伏
- 440伏
- 650 V
- 900 V
- 1000伏
- 1250伏
- 360伏
- 4500伏
- 380伏
- 442 V
- 390伏
- 445 V
- 1500伏
- 4000伏
- 950伏
- 425伏
- 435伏
- 600 V
- 3600伏
- 300伏
- 1700伏
- 1100伏
- 320伏
- 330伏
- 1300伏
- 500 V
- 395 V
- 415伏
- 375 V
- 700 V
- 270伏
- 2500伏
- 250伏
- 1350 V
- 3000伏
- 450伏
- 460伏
- 480伏
更多
最大功率:
- 100瓦
- 58 W
- 41瓦
- 595 W
- 140瓦
- 1.25瓦
- 77 W
- 298 W
- 227.2 W
- 108瓦
- 463 W
- 38瓦
- 480瓦
- 210瓦
- 290瓦
- 125瓦
- 30瓦
- 400瓦
- 250瓦
- 206 W
- 178 W
- 219 W
- 174 W
- 197 W
- 320瓦
- 99 W
- 556 W
- 130瓦
- 483 W
- 234 W
- 238 W
- 272 W
- 124 W
- 147 W
- 200瓦
- 115瓦
- 892 W
- 60 W
- 521 W
- 268 W
- 139瓦
- 260 W
- 208瓦
- 350瓦
- 56 W
- 144瓦
- 156瓦
- 45瓦
- 390瓦
- 104瓦
- 781 W
- 33瓦
- 348 W
- 75 W
- 160瓦
- 555 W
- 277 W
- 469 W
- 231 W
- 167 W
- 319.2 W
- 270瓦
- 337 W
- 520 W
- 29 W
- 246 W
- 166.7 W
- 227 W
- 454 W
- 110瓦
- 35瓦
- 138 W
- 70 W
- 190瓦
- 300瓦
- 176 W
- 267瓦
- 150瓦
- 55 W
- 278 W
- 106瓦
- 420 W
- 625 W
- 833 W
- 89 W
- 325瓦
- 2 W
- 28 W
- 357 W
- 187 W
- 92瓦
- 164 W
- 500 W
- 85 W
- 66 W
- 141 W
- 33.3 W
- 216瓦
- 201 W
- 455 W
更多
制造厂商:
- 英飞凌 (Infineon)
- 上海陆芯 (luxin-semi)
- 罗姆 (Rohm)
- 达尔科技 (Diodes rporated)
- 东芝 (Toshiba)
- 艾赛斯.力特 (IXYS)
- 无锡新洁能 (NCE)
- 威恩半导体有限公司 (WeEn)
- 萨科微 (Slkor)
- 意法半导体 (STMicroelectronics)
- 安盛美 (onsemi)
- 微芯 (Microchip)
- 基因半导体公司 (GeneSiC)
- 瑞萨电子 (Renesas)
- 力特 (Littelfuse)
- 三垦电气株式会社 (Sanken)
- 赛米奇公司 (SemiQ)
- 阿尔法和欧米茄 (Alpha & Omega)
- 美国微芯 (MICROCHIP)
- 微型商业组件 (Micro)
更多
供应商设备包装:
- HPM F2
- PG-TO220-3-31
- TO-218 Isolated
- PG-TO247AD
- ISOPLUS i4 PAC
- 超级247（至274AA）
- TO-247N
- DPAK (TO-263)
- TO-268HV
- TO-247
- TO-220AB Full-Pak
- 8-TSSOP
- 24-SMPD
- TO-264AA
- PG-TO247-3-32
- LPDS
- TO-252
- 7-SIP
- I2PAK (TO-262)
- 等值线247
- TO-252（DPak）
- PG-TO263-3-2
- PG-TO220-3-1
- TO-263（D2Pak）
- PG-HSIP247-3-2
- TO-252AA
- DPAK-6
- TO-268AA
- 最大247
- TO-220-3
- TO-264 (L)
- TO-247-4
- TO-220
- TO-247-3
- 超220（至273AA）
- TO-264 (IXYK)
- Die
- PG-TO247-3-AI
- PG-TO263-3-901
- TO-263AB
- TO-263AA
- TO-247-4L
- PG-TO252-3
- TO-220FL
- PG-TO274-3-903
- TO-263HV
- TO-220FP
- PG-TO220 Full Pack
- D3PAK
- 8-ECH
- TO-247 (IXTH)
- TO220 Full Pack
- TO-220F
- TO-247 (IXXH)
- TO-247 Long Leads
- PG-TO247-4-3
- T-MAX[B2]
- PG-TO247-4-2
- PG-TO220-3
- 至263AB（DPAK）
- DPAK
- SOT-227B
- D2PAK (TO-263)
- D2PAK
- PG-TO247-3
- TO-220F-3
- PG-TO247-4
- D-Pak
- TO-220NFM
- PG-TO220-3-111
- TO-220AB
- TO-247 [B]
- TO-268HV (IXYT)
- PG-TO251-3
- SUPER-247 (TO-274AA)
- TO-252-3 (DPAK)
- TO-247PLUS-HV
- PG-TO247-3-46
- TO-3P
- PG-TO247-3-41
- TO-220AC
- TO-3PF
- TO-247AD
- PG-TO247-3-1
- TO-247AC
- TO-264-3
- TO-263
- ISOPLUSi5 Pak
- TO-262
- TO-3PN
- 8-SOIC
- TO-268
- I-PAK
- TO-264 (IXGK)
- TO-247 (IXYH)
- TO-3PFM
- PLUS247-3.
- TO-264 [L]
- TO-252，（D-Pak）
- TO-218-5
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IGBT型:
- 场截止
- NPT, Trench Field Stop
- 沟槽
- NPT
- PT
- 场终止沟道
- NPT and Trench
更多
久芯自营
原装正品 1片起订 快至当天发货
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | ¥634.91261 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥634.91261 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 30 A 最大功率: 136 W 供应商设备包装: TO-220 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥17.81753 | 853 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥17.81753 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 75 A 最大功率: 250瓦 供应商设备包装: TO-247AD 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥38.18457 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥38.18457 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: NPT 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 36A 最大功率: 200瓦 供应商设备包装: TO-247AD 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥22.02859 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥22.02859 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | FS150R07 - IGBT MODULE | ¥911.80868 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,735.42604 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: NPT 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 30 A 最大功率: 117瓦 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥5.07003 | 1417 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,185.18293 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: 沟槽 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 16 A 最大功率: 30瓦 供应商设备包装: TO-220FL 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥18.10725 | 67 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥18.10725 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 1200伏 供应商设备包装: Die | ¥26.08893 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥26.08893 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 75 A 最大功率: 250瓦 供应商设备包装: TO-247AD 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥74.48497 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥74.48497 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 62 A 最大功率: 625 W 供应商设备包装: TO-247AD 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥42.58825 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,214.58910 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: NPT 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 36A 最大功率: 200瓦 供应商设备包装: TO-247AD 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥109.77339 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥109.77339 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | DFXR12F - IGBT MODULE | ¥4,585.69728 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4,585.69728 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 23 A 最大功率: 100瓦 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥18.54182 | 172 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥18.54182 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: NPT 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 30 A 最大功率: 117瓦 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥19.87337 | 1 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥19.87337 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 75 A 最大功率: 250瓦 供应商设备包装: TO-247AD 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥98.73521 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥98.73521 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 1200伏 供应商设备包装: Die | ¥52.92532 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥52.92532 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: NPT 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 60 A 最大功率: 300瓦 供应商设备包装: TO-247AD 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥18.93294 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥18.93294 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 30 A 最大功率: 259 W 供应商设备包装: TO-220 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥44.76112 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥44.76112 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 集电极击穿电压: 345伏 最大集电极电流 (Ic): 40 A 最大功率: 176 W 供应商设备包装: I2PAK (TO-262) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥18.83154 | 951 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥18.83154 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 75 A 最大功率: 250瓦 供应商设备包装: TO-247AD 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥35.96824 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥35.96824 | 添加到BOM 立即询价 |