绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是三端功率半导体器件,主要用作结合了高效率和快速开关的电子开关。作为模块,IGBT 可配置为不对称桥、升压、降压和制动斩波器、全桥、三电平和三相逆变器。有些内置 NTC 热敏电阻用于温度监控。IGBT 模块的区别在于最大功率、集电极电流、集电极-发射极击穿电压和配置。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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IGBT型: NPT 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 75 A 最大功率: 280瓦 供应商设备包装: Module | ¥1,129.43267 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,129.43267 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 半桥逆变器 集电极击穿电压: 1200伏 供应商设备包装: AG-EASY1B-2 | ¥295.34679 | 17 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥295.34679 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: NPT 参数配置: 带制动器的三相逆变器 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 11 A 最大功率: 45瓦 供应商设备包装: E1 | ¥610.75378 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥610.75378 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 2独立 集电极击穿电压: 1700伏 最大集电极电流 (Ic): 310 A 最大功率: 1250瓦 供应商设备包装: Module | ¥1,205.05530 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,205.05530 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 80 A 最大功率: 312 W 供应商设备包装: SOT-227 | ¥273.62693 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6,840.67320 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT MODULE LOW POWER EASY | ¥308.47973 | 14 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥308.47972 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 2独立 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 450 A 最大功率: 1600 W 供应商设备包装: Module | ¥1,280.53361 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,280.53361 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: NPT 参数配置: 带制动器的三相逆变器 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 11 A 最大功率: 50 W 供应商设备包装: E1 | ¥347,074.24324 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥347,074.24324 | 添加到BOM 立即询价 | ||
参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 1700伏 最大集电极电流 (Ic): 42 A 最大功率: 312 W 供应商设备包装: SOT-227B | ¥277.12664 | 230 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,771.26640 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 三相逆变器 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 30 A 最大功率: 20毫瓦 供应商设备包装: Module | ¥312.01552 | 25 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥312.01552 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 1700伏 最大集电极电流 (Ic): 620 A 最大功率: 2250瓦 供应商设备包装: Module | ¥1,336.24036 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,336.24036 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 三相逆变器 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 69 A 最大功率: 335 W 供应商设备包装: Module | ¥277.23488 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6,653.63707 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: NPT 参数配置: 带制动器的三相逆变器 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 18A 最大功率: 61 W 供应商设备包装: E1 | ¥621.82633 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥621.82633 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 三相逆变器 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 75 A 最大功率: 385 W 供应商设备包装: Module | ¥1,357.59943 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,357.59943 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: PT 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 86 A 最大功率: 284 W 供应商设备包装: 同位素 | ¥280.44595 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5,608.91908 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 半桥 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 500 A 最大功率: 1250瓦 供应商设备包装: D3 | ¥1,562.38667 | 1 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,562.38667 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: NPT 参数配置: 带制动器的三相逆变器 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 19A 最大功率: 75 W 供应商设备包装: E1 | ¥3,084.01313 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3,084.01313 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 三相逆变器 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 35A 最大功率: 250瓦 供应商设备包装: ACEPACK1. | ¥379.55634 | 9 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥379.55634 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: PT 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 900 V 最大集电极电流 (Ic): 64 A 最大功率: 284 W 供应商设备包装: 同位素 | ¥281.74482 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5,634.89632 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 2独立 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 580 A 最大功率: 2000瓦 供应商设备包装: Module | ¥1,623.86614 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,623.86614 | 添加到BOM 立即询价 |