绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是三端功率半导体器件,主要用作结合了高效率和快速开关的电子开关。作为模块,IGBT 可配置为不对称桥、升压、降压和制动斩波器、全桥、三电平和三相逆变器。有些内置 NTC 热敏电阻用于温度监控。IGBT 模块的区别在于最大功率、集电极电流、集电极-发射极击穿电压和配置。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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IGBT型: NPT 参数配置: 半桥 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 330 A 最大功率: 1380 W 供应商设备包装: Y3-DCB | ¥1,427.12462 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,854.24925 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 三相逆变器 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 200 A 最大功率: 680 W 供应商设备包装: Module | ¥954.37493 | 7 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,863.12480 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 三相逆变器 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 100 A 最大功率: 20毫瓦 供应商设备包装: AG-ECONO2B | ¥1,435.96410 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥21,539.46150 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 三相逆变器 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 150 A 最大功率: 430 W 供应商设备包装: Module | ¥1,442.74705 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥14,427.47046 | 添加到BOM 立即询价 | ||
参数配置: 半桥 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 150 A 最大功率: 800 W 供应商设备包装: Module | ¥1,444.04591 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥14,440.45908 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 三电平逆变器 集电极击穿电压: 1000伏 最大集电极电流 (Ic): 303 A 最大功率: 276 W 供应商设备包装: 42-PIM/Q2PACK (93x47) | ¥1,446.67971 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,893.35942 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 三电平逆变器 集电极击穿电压: 1000伏 最大集电极电流 (Ic): 303 A 最大功率: 276 W 供应商设备包装: 42-PIM/Q2PACK (93x47) | ¥1,446.67971 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,893.35942 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 三相逆变器 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 150 A 最大功率: 430 W 供应商设备包装: Module | ¥1,458.04475 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥14,580.44754 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 半桥 集电极击穿电压: 1700伏 最大集电极电流 (Ic): 450 A 最大功率: 20毫瓦 供应商设备包装: Module | ¥1,464.39475 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8,786.36848 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 全桥逆变器 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 290 A 最大功率: 625 W 供应商设备包装: SP6 | ¥1,464.59917 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8,787.59503 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: 沟槽 参数配置: 带制动器的三相逆变器 集电极击穿电压: 1700伏 最大集电极电流 (Ic): 113 A 最大功率: 450瓦 供应商设备包装: E3 | ¥1,465.10190 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,325.50952 | 添加到BOM 立即询价 | ||
参数配置: 2独立 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 275 A 最大功率: 1450 W 供应商设备包装: Module | ¥977.75445 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,933.26335 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT MODULE LOW POWER ECONO | ¥1,469.15724 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥14,691.57240 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 1000 A 最大功率: 2300 W 供应商设备包装: D4 | ¥1,470.11934 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8,820.71602 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 700 A 最大功率: 2300 W 供应商设备包装: SP6 | ¥1,471.71889 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8,830.31331 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 半桥逆变器 集电极击穿电压: 1700伏 最大集电极电流 (Ic): 340 A 最大功率: 1400 W 供应商设备包装: Module | ¥986.19705 | 19 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,958.59116 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 半桥 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 440 A 最大功率: 1450 W 供应商设备包装: Module | ¥1,481.27995 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥14,812.79952 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 三相逆变器 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 150 A 最大功率: 385 W 供应商设备包装: Module | ¥1,499.17538 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥14,991.75384 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: 沟槽 参数配置: 半桥 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 341 A 最大功率: 1042 W 供应商设备包装: Double INT-A-PAK | ¥1,501.08161 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥18,012.97930 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 1700伏 最大集电极电流 (Ic): 340 A 最大功率: 1250瓦 供应商设备包装: SP6 | ¥1,502.45862 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥9,014.75171 | 添加到BOM 立即询价 |