分立场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明和其他应用,其在承载大量电流的同时以高频开关的特性具有优势。它们几乎普遍用于需要几百伏或更低额定电压的应用,高于该电压的其他器件类型(例如 IGBT)将变得更具竞争力。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.9A (Ta) 最大功耗: 2.5W(Ta) 供应商设备包装: 8-SO 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥3.40416 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,824.63137 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 334A (Tc) 最大功耗: 680W (Tc) 供应商设备包装: 24-SMPD 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥355.84368 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥355.84368 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.7A (Tc) 最大功耗: 2.5W(Ta)、25W(Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥12.02321 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥12.02321 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 800 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 5A (Tc) 最大功耗: 30W (Tc) 供应商设备包装: TO-220 Full Pack 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥9.12605 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥9.12605 | 添加到BOM 立即询价 | ||
N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥4.56303 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,281.51350 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A(Tc) 最大功耗: 3.13W(Ta)、225W(Tc) 供应商设备包装: D2PAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥8.25691 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥189.90884 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 75 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 120A(Tc) 最大功耗: 375W (Tc) 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥16.22410 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,817.09875 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 150伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 18A(Tc) 最大功耗: 62.5W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAK1212-8W 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥7.53262 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7.53262 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 800 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 44A (Tc) 最大功耗: 380W (Tc) 供应商设备包装: SOT-227B 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥397.99736 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥397.99736 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 6A (Ta) 最大功耗: 3.2W(Ta)、21W(Tc) 供应商设备包装: 8-WDFN (3.3x3.3) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥10.35735 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥10.35735 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 40A (Tc) 最大功耗: 1.35W(Ta),50W(Tc) 供应商设备包装: LPTS 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥25.35015 | 29 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥25.35015 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 50A (Ta), 316A (Tc) 最大功耗: 4.1W (Ta), 166W (Tc) 供应商设备包装: 8-DFN (5x6.15) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥23.10485 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥23.10485 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 150伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 33A (Tc) 最大功耗: 144W(Tc) 供应商设备包装: D2PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥4.56303 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4.56303 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 26A(Tc) 最大功耗: 106W(Tc) 供应商设备包装: D2PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥2.31773 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,157.80477 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 60A (Ta) 最大功耗: 84W (Ta) 供应商设备包装: TO-252 (MP-3Z) 工作温度: 150摄氏度 | ¥16.22410 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥16.22410 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 150伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 41A (Tc) 最大功耗: 48W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB Full-Pak 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥8.25691 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,179.82318 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 90A (Tc) 最大功耗: 183W(Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥7.53262 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7.53262 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 75 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 225A(Tc) 最大功耗: 735W (Tc) 供应商设备包装: SOT-227B 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥398.86650 | 250 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥398.86650 | 添加到BOM 立即询价 | ||
N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥5.49888 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥208.95752 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 10A(Tc) 最大功耗: 115W(Tc) 供应商设备包装: D2PAK 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥25.49501 | 45 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥25.49501 | 添加到BOM 立即询价 |