分立场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明和其他应用,其在承载大量电流的同时以高频开关的特性具有优势。它们几乎普遍用于需要几百伏或更低额定电压的应用,高于该电压的其他器件类型(例如 IGBT)将变得更具竞争力。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 34A (Tc) 最大功耗: 375W (Tc) 供应商设备包装: TO-247AD 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥47.00642 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥47.00642 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 75 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 120A(Tc) 最大功耗: 300W (Tc) 供应商设备包装: D2PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥15.06523 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,184.45864 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 33A (Tc) 最大功耗: 290W(Tc) 供应商设备包装: HiP247 工作温度: -55摄氏度~200摄氏度(TJ) | ¥165.64512 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥165.64512 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.4A(Tc) 最大功耗: 125W(Tc) 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥47.51342 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥47.51342 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 56A (Tc) 最大功耗: 300W (Tc) 供应商设备包装: PG-TO263-7-12 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥184.33181 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥184.33181 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 222A(Tc) 最大功耗: 214W(Tc) 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥47.58585 | 42383 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥47.58585 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 31A (Tc) 最大功耗: 125W(Tc) 供应商设备包装: PG-HSOF-8-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥184.18695 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥184.18695 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 240A(Tc) 最大功耗: 290W(Tc) 供应商设备包装: D2PAK (7-Lead) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥23.97400 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥23.97400 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 80 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 43.5A (Ta), 337A (Tc) 最大功耗: 5W (Ta), 300W (Tc) 供应商设备包装: 8-DFNW (8.3x8.4) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥40.34295 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥40.34295 | 添加到BOM 立即询价 | ||
SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263- | ¥148.31069 | 1 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥148.31069 | 立即购买 加入购物车 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 48A (Tc) 最大功耗: 278W(Tc) 供应商设备包装: PowerPAK10 x 12 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥75.61588 | 9 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥75.61588 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 602A (Tc) 最大功耗: 600W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAK8 x 8 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥26.79873 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥26.79873 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 58A (Tc) 最大功耗: 197W(Tc) 供应商设备包装: PG-TO247-3-41 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥111.23573 | 5 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥111.23573 | 立即购买 加入购物车 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 20.6A(Tc) 最大功耗: 208W(Tc) 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥24.33614 | 31 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥24.33614 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 37A (Ta), 366A (Tc) 最大功耗: 3.8W (Ta), 375W (Tc) 供应商设备包装: PG-HSOG-8-1 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥68.22812 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥68.22812 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A(Tc) 最大功耗: 162W(Tc) 供应商设备包装: 4-PQFN (8x8) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥25.27772 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥25.27772 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 800 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 15A(Tc) 最大功耗: 179W(Tc) 供应商设备包装: TO-247AC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥24.33614 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥24.33614 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 31A (Tc) 最大功耗: 125W(Tc) 供应商设备包装: PG-DSO-20-87 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥159.05408 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥159.05408 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 47A (Tc) 最大功耗: 278W(Tc) 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥47.94800 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥47.94800 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1000伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2A(Tc) 最大功耗: 86W (Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥24.40857 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥24.40857 | 添加到BOM 立即询价 |