分立场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明和其他应用,其在承载大量电流的同时以高频开关的特性具有优势。它们几乎普遍用于需要几百伏或更低额定电压的应用,高于该电压的其他器件类型(例如 IGBT)将变得更具竞争力。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 11A(Tc) 最大功耗: 40W (Tc) 供应商设备包装: TO-220FM 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥22.30813 | 78 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥22.30813 | 添加到BOM 立即询价 | ||
P-CHANNEL POWER MOSFET | ¥2.10044 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,165.55467 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.6A (Tc) 最大功耗: 2.5W(Ta)、40W(Tc) 供应商设备包装: TO-252,(D-Pak) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥1.23129 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,167.07568 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 80 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 1A(Tc) 最大功耗: 8.33W (Tc) 供应商设备包装: TO-205AF (TO-39) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥3.76631 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥15.06523 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 11.4A(Tc) 最大功耗: 104.2W(Tc) 供应商设备包装: PG-TO220-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥22.30813 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥22.30813 | 添加到BOM 立即询价 | ||
SMALL-SIGNAL N-CHANNEL MOSFET | ¥2.10044 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,527.02061 | 添加到BOM 立即询价 | ||
N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥1.23129 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥929.62622 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 14A(Tc) 最大功耗: 208W(Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥22.30813 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥22.30813 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.7A (Tc) 最大功耗: 38W (Tc) 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥2.10044 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥21.00441 | 添加到BOM 立即询价 | ||
N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥1.23129 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,850.63338 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 32A (Tc) 最大功耗: 83W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥39.47381 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥39.47381 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A 供应商设备包装: TO-252-3 (DPAK) | ¥2.10044 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥869.58257 | 添加到BOM 立即询价 | ||
N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥1.23129 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,850.63338 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 7A (Tc) 最大功耗: 30W (Tc) 供应商设备包装: TO-220FP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥22.45299 | 9 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥22.45299 | 添加到BOM 立即询价 | ||
N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥1.23129 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥615.64650 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 90A (Tc) 最大功耗: 188W(Tc) 供应商设备包装: PG-TO252-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥15.06523 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥15.06523 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 18A(Tc) 最大功耗: 130W(Tc) 供应商设备包装: TO-220 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥22.45299 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥22.45299 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 12.9A(Tc) 最大功耗: 1.7W(Ta)、12.5W(Tc) 供应商设备包装: DFN2020MD-6 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥2.10044 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,100.44100 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 50A (Tc) 最大功耗: 125W(Tc) 供应商设备包装: TO-263(DPak) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥12.60265 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥12.60265 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A(Tc) 最大功耗: 31W (Tc) 供应商设备包装: TO-220 Full Pack 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥22.45299 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥22.45299 | 添加到BOM 立即询价 |