分立场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明和其他应用,其在承载大量电流的同时以高频开关的特性具有优势。它们几乎普遍用于需要几百伏或更低额定电压的应用,高于该电压的其他器件类型(例如 IGBT)将变得更具竞争力。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 14A(Ta) 最大功耗: 10W(Tc) 供应商设备包装: 8-HWSON (3.3x3.3) 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥2.75230 | 2564298 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,201.84160 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 11A(Ta) 供应商设备包装: 8-SOP | ¥3.33173 | 22500 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,172.29057 | 添加到BOM 立即询价 | ||
P-CHANNEL SMALL SIGNAL MOSFET | ¥4.12845 | 4000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,167.43783 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 600毫安 (Ta) 最大功耗: 2W(Ta) 供应商设备包装: Micro6(TSOP-6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥4.99760 | 3799 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4.99760 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A (Tc) 最大功耗: 12.8W(Tc) 供应商设备包装: TO-126-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥1.73830 | 21919 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,181.56148 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 23A(Tc) 最大功耗: 99W(Tc) 供应商设备包装: D2PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥10.86435 | 6674 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥10.86435 | 添加到BOM 立即询价 | ||
SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET | ¥1.23129 | 662805 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,164.61309 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 80 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 60A (Ta) 供应商设备包装: Die 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥25.35015 | 5504 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥25.35015 | 添加到BOM 立即询价 | ||
N-CHANNEL POWER SWITCHING MOSFET | ¥2.75230 | 140000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,201.84160 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.6A (Tc) 最大功耗: 2.5W(Ta)、51W(Tc) 供应商设备包装: I-PAK 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥3.33173 | 21774 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,185.61750 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 14A(Tc) 最大功耗: 48W (Tc) 供应商设备包装: I-PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥4.12845 | 3664 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,167.43783 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 11A(Ta)、40A(Tc) 最大功耗: 40W (Tc) 供应商设备包装: I-PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥2.17287 | 41569 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,162.00565 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.2A (Tc) 最大功耗: 1.75W(Tc) 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥1.23129 | 450515 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,220.02128 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2A(Ta) 供应商设备包装: 6-WSOF | ¥1.73830 | 21000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,183.29978 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 28A(Tc) 最大功耗: 107W(Tc) 供应商设备包装: D2PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥10.86435 | 4544 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥10.86435 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 18A(Tc) 最大功耗: 100W(Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥11.69077 | 10 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥11.69077 | 立即购买 加入购物车 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A(Tc) 最大功耗: 93W(Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥2.75230 | 83756 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,146.79556 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 600毫安 (Ta) 供应商设备包装: 4-DIP, Hexdip, HVMDIP | ¥4.12845 | 2665 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,167.43783 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 350伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2A(Tc) 最大功耗: 36W (Tc) 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥3.33173 | 6031 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,185.61750 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 25A(Tc) 最大功耗: 50W (Tc) 供应商设备包装: D2PAK (TO-263) 工作温度: -65摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥2.17287 | 37400 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,162.00565 | 添加到BOM 立即询价 |