分立场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明和其他应用,其在承载大量电流的同时以高频开关的特性具有优势。它们几乎普遍用于需要几百伏或更低额定电压的应用,高于该电压的其他器件类型(例如 IGBT)将变得更具竞争力。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 31A (Tc) 最大功耗: 3.13W(Ta)、180W(Tc) 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥19.62826 | 3086 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥19.62826 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 35A (Tc) 最大功耗: 70W (Ta) 供应商设备包装: TO-251 (IPAK) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥2.67987 | 3028 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,149.25815 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.8A(Tc) 最大功耗: 2.5W(Ta)、44W(Tc) 供应商设备包装: I-PAK 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥2.10044 | 1869 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,165.55467 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.6A(Ta) 最大功耗: 1.8W(Ta) 供应商设备包装: 4-DSBGA(1x1) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥3.76631 | 12384 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3.76631 | 添加到BOM 立即询价 | ||
SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET | ¥1.73830 | 79211 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,183.29978 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 80 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 45A (Tc) 最大功耗: 79W (Tc) 供应商设备包装: PG-TO220-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥4.05602 | 15617 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,174.02886 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 23A(Ta)、70A(Tc) 最大功耗: 6.2W (Ta), 78W (Tc) 供应商设备包装: TO-251A 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥5.64946 | 15760 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5.64946 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A(Ta)、28A(Tc) 最大功耗: 2.5W(Ta)、41W(Tc) 供应商设备包装: 8-PQFN (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥3.33173 | 65002 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,185.61750 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 32A (Tc) 最大功耗: 79W (Tc) 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥11.73350 | 3189 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥11.73350 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.5A (Tc) 最大功耗: 3.75W (Ta), 40W (Tc) 供应商设备包装: I2PAK (TO-262) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥2.67987 | 3000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,149.25815 | 添加到BOM 立即询价 | ||
N-CHANNEL SMALL SIGNAL MOSFET | ¥0.36215 | 159000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,089.57665 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A (Ta) 最大功耗: 1W(Ta) 供应商设备包装: 3-md 工作温度: 150摄氏度 | ¥1.08644 | 1555 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,689.40643 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A (Tc) 最大功耗: 48W (Tc) 供应商设备包装: TO-220 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥2.10044 | 1578 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,165.55467 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 900毫安 (Tc) 最大功耗: 2.5W(Ta)、28W(Tc) 供应商设备包装: TO-252,(D-Pak) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥1.73830 | 76000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,181.56148 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8.1A (Ta) 最大功耗: 2.03W(Ta) 供应商设备包装: U-DFN2020-6 (Type F) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥3.91117 | 5705 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3.91117 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 1A(Tc) 最大功耗: 2.5W(Ta)、28W(Tc) 供应商设备包装: I-PAK 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥5.79432 | 3631 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5.79432 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 400伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.6A(Tc) 最大功耗: 40W (Tc) 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥4.05602 | 10600 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,174.02886 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 65 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A (Ta) 供应商设备包装: Die 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥22.81514 | 16192 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥22.81514 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 250伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.8A(Tc) 最大功耗: 32W (Tc) 供应商设备包装: TO-220F-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥2.67987 | 2391 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,149.25815 | 添加到BOM 立即询价 | ||
P-CHANNEL SMALL SIGNAL MOSFET | ¥0.36215 | 108000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,089.57665 | 添加到BOM 立即询价 |