分立场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明和其他应用,其在承载大量电流的同时以高频开关的特性具有优势。它们几乎普遍用于需要几百伏或更低额定电压的应用,高于该电压的其他器件类型(例如 IGBT)将变得更具竞争力。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 16A (Ta), 191A (Tc) 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | ¥12.16807 | 16500 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,178.08489 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 300伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 23A(Tc) 最大功耗: 114W(Tc) 供应商设备包装: PowerFlat(5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥27.48145 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥27.48145 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 13A(Ta)、55A(Tc) 最大功耗: 2.3W(Ta),50W(Tc) 供应商设备包装: TO-252,(D-Pak) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥8.83634 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8.83634 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A(Ta)、85A(Tc) 最大功耗: 2.3W(Ta),83W(Tc) 供应商设备包装: 8-DFN (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥12.44330 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥12.44330 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 17.5A(Ta)、65A(Tc) 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | ¥9.12605 | 10500 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,181.12691 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 46A (Tc) 最大功耗: 32W (Tc) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥41.63219 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥41.63219 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 37A (Ta), 85A (Tc) 最大功耗: 6.2W (Ta), 32.2W (Tc) 供应商设备包装: 8-DFN (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥13.60217 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥13.60217 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 17.5A(Ta)、65A(Tc) 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | ¥6.27235 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6.27235 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 13A (Ta), 46A (Tc) 最大功耗: 2.5W(Ta)、32W(Tc) 供应商设备包装: TO-252(DPak) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥52.67037 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥52.67037 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 17.5A(Ta)、65A(Tc) 最大功耗: 1.63W(Ta),22.73W(Tc) 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥2.60744 | 2260000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,174.60830 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 16A (Ta), 46A (Tc) 最大功耗: 2.5W(Ta),50W(Tc) 供应商设备包装: TO-252(DPak) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥34.49069 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥34.49069 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 73A (Tc) 最大功耗: 166W(Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥3.83874 | 7599 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,172.72514 | 添加到BOM 立即询价 | ||
MOSFET N-CH 30V 46A 5DFN | ¥74.81916 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥74.81916 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12.5A(Ta) 最大功耗: 2W(Ta),18.8W(Tc) 供应商设备包装: TO-252(DPak) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥20.55535 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥20.55535 | 添加到BOM 立即询价 | ||
MOSFET N-CH 30V 46A 5DFN | ¥17.25259 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥17.25259 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 55A (Tc) 最大功耗: 2.5W(Ta),50W(Tc) 供应商设备包装: TO-252 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥16.47036 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥16.47036 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 37A (Tc) 最大功耗: 138W(Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥59.88430 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥59.88430 | 添加到BOM 立即询价 | ||
MOSFET N-CH 30V 38A 5DFN | ¥2.67987 | 19500 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,149.25815 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 25A (Ta), 170A (Tc) 最大功耗: 2.3W (Ta), 110W (Tc) 供应商设备包装: 8-DFN (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥32.23091 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥32.23091 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A (Tc) 最大功耗: 104W(Tc) 供应商设备包装: TO-252(DPak) 工作温度: -50摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥50.33816 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥50.33816 | 添加到BOM 立即询价 |