分立场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明和其他应用,其在承载大量电流的同时以高频开关的特性具有优势。它们几乎普遍用于需要几百伏或更低额定电压的应用,高于该电压的其他器件类型(例如 IGBT)将变得更具竞争力。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 700 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 3A (Tc) 最大功耗: 17.6W(Tc) 供应商设备包装: PG-TO251-3-347 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥1.61734 | 100 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥1.61734 | 立即购买 加入购物车 | ||
BSO203 - 20V-250V P-CHANNEL POWE | ¥4.41817 | 2450 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,164.90281 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 80A (Tc) 最大功耗: 94W(Tj) 供应商设备包装: D2PAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥7.09804 | 5478 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,179.09889 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 800 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.8A (Tc) 最大功耗: 190W(Tc) 供应商设备包装: TO-247AC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥36.79393 | 1845 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥36.79393 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1000伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 37A (Tc) 最大功耗: 694W (Tc) 供应商设备包装: 同位素 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥673.44484 | 2 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥673.44484 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 10.2A(Ta) 最大功耗: 2.5W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥1.52101 | 679935 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,181.12691 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 51A (Tc) 最大功耗: 82W (Tc) 供应商设备包装: D2PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥4.49060 | 64000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,191.41182 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 330伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 25A(Tc) 最大功耗: 3.1W(Ta)、250W(Tc) 供应商设备包装: D2PAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥12.67508 | 8000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,180.11290 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 30A (Tc) 最大功耗: 110W(Tc) 供应商设备包装: D-PAK (TO-252AA) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥7.09804 | 3000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,179.09889 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 120A(Tc) 最大功耗: 395W (Tc) 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥37.01122 | 217 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥37.01122 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 68A (Tc) 供应商设备包装: SOT-227B 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥936.57940 | 20 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥936.57940 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 25A(Ta) 最大功耗: 3.1W(Ta)、42W(Tc) 供应商设备包装: 8-VSONP (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥10.35735 | 243 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥10.35735 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 800 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 7A (Tc) 最大功耗: 51W (Tc) 供应商设备包装: PG-TO251-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥4.49060 | 12900 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,168.95883 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 50A (Ta) 最大功耗: 80W (Ta) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥1.52101 | 17140 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,194.81599 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 11.5A(Tc) 最大功耗: 165W(Tc) 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥7.09804 | 1304 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,172.00085 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 29A(Tc) 最大功耗: 278W(Tc) 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥12.81993 | 302 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,179.38861 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 200A(Ta) 最大功耗: 375W (Tc) 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥38.17008 | 141 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥38.17008 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 800 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.5A(Tc) 最大功耗: 13W(Tc) 供应商设备包装: PG-TO251-3-21 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥6.80833 | 627 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6.80833 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 10A(Ta) 最大功耗: 2.5W(Ta)、62.5W(Tc) 供应商设备包装: DirectFET等距M4 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥12.89236 | 10751 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,178.80918 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 15A(Ta)、35A(Tc) 最大功耗: 3.1W(Ta) 供应商设备包装: 8-PQFN (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥2.46621 | 200 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥3,462.55463 | 立即购买 加入购物车 |