分立场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明和其他应用,其在承载大量电流的同时以高频开关的特性具有优势。它们几乎普遍用于需要几百伏或更低额定电压的应用,高于该电压的其他器件类型(例如 IGBT)将变得更具竞争力。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 80 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.7A(Ta) 供应商设备包装: Die 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥6.57193 | 45313 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6.57193 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 75 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 106A(Tc) 最大功耗: 200W(Tc) 供应商设备包装: D2PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥23.03786 | 5851 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥23.03786 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 170A(Tc) 最大功耗: 890W (Tc) 供应商设备包装: TO-264 (IXTK) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥164.80376 | 567 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥164.80376 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A(Tc) 最大功耗: 8W (Tc) 供应商设备包装: SOT-223 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥6.49971 | 40633 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6.49971 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 9.9A (Ta) 最大功耗: 1.45W(Ta) 供应商设备包装: 8-SO 工作温度: -50摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥5.05533 | 77093 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5.05533 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 44.5A (Ta), 120A (Tc) 最大功耗: 8.3W (Ta), 260W (Tc) 供应商设备包装: TO-263(D2Pak) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥23.54339 | 2117 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥23.54339 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 90A (Tc) 最大功耗: 890W (Tc) 供应商设备包装: TO-264 (IXTK) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥164.80376 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥164.80376 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.5A (Ta), 30A (Tc) 最大功耗: 2.5W(Ta)、52W(Tc) 供应商设备包装: TO-252(DPak) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥7.22190 | 128665 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7.22190 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3A (Ta) 最大功耗: 800mW (Ta) 供应商设备包装: TUMT3 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥1.20317 | 200 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥1.20317 | 立即购买 加入购物车 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 120A(Tc) 最大功耗: 230W(Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥4.00743 | 430 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥4.00743 | 立即购买 加入购物车 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 39A (Tc) 最大功耗: 165瓦 供应商设备包装: TO-247-4L 工作温度: 175摄氏度(TJ) | ¥166.46480 | 183 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥166.46480 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 45A (Ta), 50A (Tc) 最大功耗: 6.2W (Ta), 83W (Tc) 供应商设备包装: 8-DFN-EP (3x3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥6.78859 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6.78859 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.6A (Ta) 最大功耗: 740mW (Ta) 供应商设备包装: U-dfn1161-6 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥4.69424 | 12184 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4.69424 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 100A(Tc) 最大功耗: 170W(Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥9.64629 | 8 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥9.64629 | 立即购买 加入购物车 | ||
MOSFET N CH | ¥171.52013 | 146 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥171.52013 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 56A (Tc) 最大功耗: 50W (Tc) 供应商设备包装: D-Pak 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥2.36806 | 471 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥2.36806 | 立即购买 加入购物车 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 250伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 375毫安 (Ta) 最大功耗: 1.5W(Ta) 供应商设备包装: SOT-223 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥4.54980 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4.54980 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 61A (Ta), 350A (Tc) 最大功耗: 8.3W (Ta), 272W (Tc) 供应商设备包装: TOLLA 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥29.32091 | 2933 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥29.32091 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 90A (Tc) 最大功耗: 400W (Tc) 供应商设备包装: TO-247-4 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥176.14214 | 3277 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥176.14214 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 26.5A(Ta)、34A(Tc) 最大功耗: 5W (Ta), 43W (Tc) 供应商设备包装: 8-DFN-EP (3x3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥7.22190 | 14462 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7.22190 | 添加到BOM 立即询价 |