场效应晶体管 (FET) 是利用电场控制电流的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极晶体管,因为它们涉及单载流子类型操作。也就是说,FET 在其工作中使用电子或空穴作为电荷载流子,但不能同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下表现出非常高的输入阻抗。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A, 12A 供应商设备包装: 8-Power33 (3x3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥3.47514 | 50 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥3.47514 | 立即购买 加入购物车 | ||
场效应管类型: 4 N通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 830毫安 供应商设备包装: 14-DIP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥8.26270 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8.26270 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.4A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥9.99520 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥9.99520 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 4 N通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 830毫安 供应商设备包装: 14-DIP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥9.70549 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥9.70549 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥9.99520 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥9.99520 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 4 N通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 830毫安 供应商设备包装: 14-DIP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥3.94014 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3.94014 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 80V 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.4A、2.6A 供应商设备包装: 8-SOP 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥4.22116 | 30 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥4.22116 | 立即购买 加入购物车 | ||
场效应管类型: 4 N通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 90V 漏源电流 (Id) @ 温度: 400毫安 供应商设备包装: 14-DIP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥6.09852 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6.09852 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 15A (Ta), 27A (Tc), 26A (Ta), 80A (Tc) 供应商设备包装: 8-HSOP 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥10.93678 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥10.93678 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 4 N通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 90V 漏源电流 (Id) @ 温度: 400毫安 供应商设备包装: 14-DIP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥189.27146 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥189.27146 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 4 N通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 90V 漏源电流 (Id) @ 温度: 400毫安 供应商设备包装: 14-DIP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥10.18352 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥10.18352 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.4A 供应商设备包装: 1206-8芯片FET 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥10.50221 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥10.50221 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 4 P-Channel 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 600毫安 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥6.34478 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6.34478 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12.1A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥10.50221 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥10.50221 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 4 P-Channel 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 600毫安 供应商设备包装: 14-DIP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥6.09852 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6.09852 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 9.2A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥10.50221 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥10.50221 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个N和2个P通道 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 850毫安, 600毫安 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥8.35831 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8.35831 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 15A 供应商设备包装: PowerPAKSO-8双 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥10.57463 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥10.57463 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 303A (Tc) 供应商设备包装: 32-PQFN (6x6) | ¥139.75900 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥139.75900 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A(Ta)、49A(Tc) 供应商设备包装: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥9.99520 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥9.99520 | 添加到BOM 立即询价 |