【场效应晶体管阵列厂家_场效应晶体管阵列型号采购】|第203页-久芯网

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什么是场效应晶体管阵列:

场效应晶体管 (FET) 是利用电场控制电流的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极晶体管，因为它们涉及单载流子类型操作。也就是说，FET 在其工作中使用电子或空穴作为电荷载流子，但不能同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下表现出非常高的输入阻抗。

工作温度:
0摄氏度~70摄氏度（TJ）
-40摄氏度~150摄氏度（TJ）
-40摄氏度~85摄氏度（TJ）
-25摄氏度~125摄氏度（TJ）
-65摄氏度~150摄氏度（TJ）
175摄氏度（TJ）
150摄氏度（TJ）
-55摄氏度~175摄氏度（TJ）
150摄氏度
-55摄氏度~125摄氏度
175摄氏度
-55摄氏度~150摄氏度（TA）
0摄氏度~70摄氏度
-50摄氏度~150摄氏度（TJ）
-40摄氏度~175摄氏度（TJ）
150摄氏度（TA）
-40摄氏度～125摄氏度（TC）
-20摄氏度~125摄氏度（TJ）
-55摄氏度~150摄氏度（TJ）
125摄氏度（TJ）
-55摄氏度~175摄氏度（TA）
-55摄氏度~150摄氏度
-55摄氏度～155摄氏度（TJ）
-55摄氏度~175摄氏度
更多
漏源电压标 (Vdss):
10.6伏
800V
28伏
200伏
16伏
24伏
12伏
20伏
190伏
40伏
25伏、30伏
150伏
500V
62V
50V
70V
8V
90V
1700伏（1.7千伏）
700V
1000V（1千伏）
30V, 20V
100伏
30V, 12V
55V, 30V
25伏
60V, 50V
33伏
45伏
12伏、20伏
55V
240伏
450伏
75V
20伏、12伏
60V, 100V
650V
30V, 8V
400伏
30V, 25V
10伏
30伏
40V, 200V
25伏、12伏
120伏
60V
80V
300伏
900V
15伏
35伏
60V, 20V
50V, 30V
250伏
600V
85V
1200V（1.2千伏）
60V, 300V
20伏、8伏
100V、80V
更多
漏源电流 (Id) @ 温度:
193A（Tc）
6.5A (Ta)
10A
50A
8A
600毫安, 500毫安
2.4A、1.7A
2.6A
1.9A
6.2A (Ta)
6A (Ta)
590毫安
3.8A (Ta), 2.7A (Ta)
4.8A
5.5A
3.3A
23A
11A
3.8A (Ta)
40毫安, 16毫安
9A
600毫安
100A（Tj）
2.7A，2A
2.2A（Ta）
2.7A
400毫安
4.9A (Ta)
8.6A, 7.3A
4.9A
120A（Tc）
5.6A
3.4A
4A (Ta)
16A、28A
2A
3.5A
4.2A
2.8A
1.5A、1.3A
700毫安 (Tc)
1.3A
7.1A
5A (Ta)
2.17A、1.64A
3.98A, 3.36A
7.2A (Ta)
4.3A
3.6A
2.9A
100毫安
5.8A
8.7A
6.5A
2.9A、2.1A
4A
450毫安, 310毫安
3.7A
6.6A
39A
27A
15A
1.5A
5.5A, 5.8A
2A，1.5A
5A
5.8A (Ta)
5.2A
7A (Ta)
2.5A（Ta）
3.8A
5A, 4A
8.9A (Ta), 24.7A (Tc), 8.9A (Ta), 24.6A (Tc)
10A（Ta）、40A（Ta）
4.5A
300A (Tc)
20A
60A
6A
1.7A
200毫安
3.9A
6.6A, 6.8A
1.9A（Ta）
4.6A
5.3A
6A, 5.5A
8.2A, 32A
9A（Ta）、8.5A（Ta）
80A (Tc)
7A
800毫安 (Ta), 720毫安 (Ta)
6.5A, 4.2A
140毫安
4.1A, 3.4A
220毫安、200毫安
4.7A
3.2A
5.4A
4.9A, 4.1A
更多
制造厂商:
英飞凌 (Infineon)
宝英电源 (Powerex)
罗姆 (Rohm)
Trinamic 运动控制有限公司 (Trinamic Motion)
扬州扬杰 (Yangzhou Yangjie)
DComponents (DComponents)
达尔科技 (Diodes rporated)
芯源系统 (Monolithic Power)
恩智浦 (NXP)
艾赛斯.力特 (IXYS)
黑森尔 (Vishay Siliconix)
威恩半导体有限公司 (WeEn)
安盛美 (onsemi)
意法半导体 (STMicroelectronics)
德州仪器 (Texas)
松下 (Panasonic)
三垦电气株式会社 (Sanken)
沃尔夫斯皮德公司 (Wolfspeed)
EPC公司 (EPC)
阿尔法和欧米茄 (Alpha & Omega)
威世二极管 (Vishay General)
模拟器件公司 (Analog)
领先线性器件 (Advanced Linear)
特朗斯峰 (Transphorm)
松下电子元件 (Panasonic)
安世 (Nexperia)
江苏长电/长晶 (CJ)
安世半导体 (Nexperia)
东芝 (Toshiba)
扬杰 (YANGJIE)
台湾典琦科技股份有限公司 (Comchip)
谷峰 (GOFORD)
强茂 (Panjit)
威世半导体 (Vishay Cera-Mite)
微芯 (Microchip)
瑞特隆 (Rectron)
台舟 (TECH PUBLIC)
基因半导体公司 (GeneSiC)
瑞萨电子 (Renesas)
欧普泰克 (TT)
德欧泰克半导体 (Diotec)
广东友台半导体 (UMW)
微型商业组件 (Micro)
更多
场效应管特性:
逻辑电平门，1.2V驱动
逻辑电平门，10V驱动
碳化硅（SiC）
逻辑电平门，4V驱动
耗尽型
逻辑电平门，5V驱动
逻辑电平门
氮化镓
逻辑电平门，2.5V驱动
超级结
标准
逻辑电平门，0.9V驱动
逻辑电平门，1.8V驱动
逻辑电平门，4.5V驱动
逻辑电平门，1.5V驱动
更多
场效应管类型:
2 N通道（半桥）
3 N通道（相支路+升压斩波器）
4 N-Channel (Three Level Inverter)
4 N-Channel (Half Bridge)
2 N通道（CAS编码）
N和P通道
2 N通道（相位支路）
3 N通道，公共门
2个N和2个P通道匹配对
3 N通道（半桥+同步引导）
5 N-Channel (Solar Inverter)
2个P通道（双）公共源
4 P-Channel, Matched Pair
2 P-通道（双）公共漏极
6 N-Channel (3-Phase Bridge)
6 N and 6 P-Channel
5 P-Channel, Common Source
2个P通道（双）匹配对
3 N和3 P通道（三相电桥）
2个N通道（双）公共源
2个N和2个P通道（H桥）
4 N-Channel (H-Bridge) + Bridge Rectifier
4 P-Channel
6 N-Channel
4 N通道
2 N通道（双）公共漏极
N和P通道，公共漏极
2 N通道（双通道），肖特基
2 N通道（双通道）不对称
2个N和2个P通道
2个P通道（双通道）
4 N-Channel (H-Bridge)
2个N通道（双通道）
N和P通道互补
2个N通道（双）匹配对
4 N-Channel, Matched Pair
2 N通道（双降压斩波器）
8 N-Channel, Common Gate, Common Source
2 N通道
更多
供应商设备包装:
8-VSON (3.3x3.3)
PowerDI3333-8
8-SO
LFPAK56D
PG-DSO-8
SC-70-6
SOT-353
16-PDIP
8-PQFN (5x6)
5-PTAB (3x2.5)
Powerclip-33
6-TSSOP
SC75-6 FLMP
PowerPAK1212-8双
X2-DFN1310-6 (Type B)
EMT6
SC-88
8-TSSOP
SC-88（SC-70-6）
DFN1010B-6
Module
ChipFET
SC-74-6, (Mini Mold)
15-ZIP
8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
6-UDFN (2x2)
ES6
6-MicroFET (2x2)
Micro8
TSMT8
EPM15
US6
5-PTAB (5x3.5)
Power56
SC-75，MicroFET
Die
18-BGA（2.5x4）
AG-EASY1B-2
PowerPAKSO-8双不对称
6-CPH
6-PicoStar
8-Power33 (3x3)
SuperSOT-6.
PowerPAKSO-8双
PowerDI3333-8 (Type D)
MicroFET 3x3毫米
SOT-363
8-SOP
12-SIP
8-ECH
PowerPAK1212-8SCD
MicroFET 2x2 Thin
6-SuperMiniMold
TUMT6
14-SOIC
X2-DFN0806-6
1206-8芯片FET
SOT-23-6L
SOT-26
SuperSOT-8.
8-PowerPair (6x5)
DirectFET等距SA
SOT-28FL/ECH8
V-DFN2050-4
8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
8-LSON (3.3x3.3)
PG-TDSON-8-57
8-PSOP
8-PDIP
8-MLP, MicroFET (3x1.9)
16-SOIC
8-DFN (3x3)
SOT-383FL，EMH8
SOT-963
PowerDI5060-8
8-PowerPair
PG-TDSON-8-4
10-WLCSP（2.98x1.49）
532-FCBGA (23x23)
DFN3020B-8
8-SOIC
DIRECTFETSA
UMT6
8-PowerPair (3.3x3.3)
6-PQFN (2x2)
14-PDIP
6-WSON (2x2)
4-FlipChip
6-WLCSP (1x1.5)
SC-59
6-MLP (2x5)
SOT-563
SC-59-5, Mini Mold
TO-252-4
U-qfn515-12
U-DFN2020-6 (Type B)
6-WLCSP (1.3x2.3)
SOT-563F
6-HUSON (2x2)
10-WLCSP（3.54x1.77）
更多

当前"场效应晶体管阵列"共 4485 条相关库存

品牌型号	描述	价格	库存	交期	数量	操作
DMT6017LDV-7 达尔科技 (Diodes rporated)	场效应管类型: 2个N通道（双通道）场效应管特性: 标准漏源电流 (Id) @ 温度: 25.3（Tc）供应商设备包装: PowerDI3333-8 (Type UXC) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥2.70211	0	5-7 工作日	- + 合计: ¥5,404.21800	添加到BOM 立即询价
NSTJD4001NT1G 安盛美 (onsemi)	MOSFET P-CH SC88	¥8.18448	9000	5-7 工作日	- + 合计: ¥8.18448	添加到BOM 立即询价
SI4834BDY-T1-GE3 黑森尔 (Vishay Siliconix)	场效应管类型: 2个N通道（双通道）场效应管特性: 逻辑电平门漏源电压标 (Vdss): 30伏漏源电流 (Id) @ 温度: 5.7A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥13.10965	9000	5-7 工作日	- + 合计: ¥13.10965	添加到BOM 立即询价
DMN3013LDG-7 达尔科技 (Diodes rporated)	场效应管类型: 2个N通道（双通道）场效应管特性: 标准漏源电压标 (Vdss): 30伏漏源电流 (Id) @ 温度: 9.5A (Ta), 15A (Tc) 供应商设备包装: PowerDI3333-8 (Type D) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥2.70754	0	5-7 工作日	- + 合计: ¥2,707.54100	添加到BOM 立即询价
SI4834CDY-T1-E3 黑森尔 (Vishay Siliconix)	场效应管类型: 2个N通道（双通道）场效应管特性: 标准漏源电压标 (Vdss): 30伏漏源电流 (Id) @ 温度: 8A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥4.43266	9000	5-7 工作日	- + 合计: ¥4.43265	添加到BOM 立即询价
DMN3013LFG-7 达尔科技 (Diodes rporated)	场效应管类型: 2个N通道（双通道）场效应管特性: 标准漏源电压标 (Vdss): 30伏漏源电流 (Id) @ 温度: 9.5A (Ta), 15A (Tc) 供应商设备包装: PowerDI3333-8 (Type D) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥2.70754	0	5-7 工作日	- + 合计: ¥2,707.54100	添加到BOM 立即询价
CMS25NN03V8-HF 台湾典琦科技股份有限公司 (Comchip)	场效应管类型: 2个N通道（双通道）漏源电压标 (Vdss): 30伏漏源电流 (Id) @ 温度: 25A 供应商设备包装: 8-PDFN (SPR-PAK ) (3.3x3.3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度	¥7.41673	9000	5-7 工作日	- + 合计: ¥7.41673	添加到BOM 立即询价
SI4834CDY-T1-GE3 黑森尔 (Vishay Siliconix)	场效应管类型: 2个N通道（双通道）场效应管特性: 标准漏源电压标 (Vdss): 30伏漏源电流 (Id) @ 温度: 8A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥108.38276	9000	5-7 工作日	- + 合计: ¥108.38276	添加到BOM 立即询价
EFC6601R-TR 安盛美 (onsemi)	场效应管类型: 2个N通道（双通道）场效应管特性: 逻辑电平门，2.5V驱动供应商设备包装: EFCP2718-6CE-020 工作温度: 150摄氏度（TJ）	¥2.17287	684263	5-7 工作日	- + 合计: ¥2,177.21574	添加到BOM 立即询价
SH8K3TB1 罗姆 (Rohm)	MOSFET 2N-CH 30V 7A SOP8	¥8.83634	1563	5-7 工作日	- + 合计: ¥8.83634	添加到BOM 立即询价
SI4908DY-T1-GE3 黑森尔 (Vishay Siliconix)	场效应管类型: 2个N通道（双通道）场效应管特性: 标准漏源电压标 (Vdss): 40伏漏源电流 (Id) @ 温度: 5A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥4.14294	9000	5-7 工作日	- + 合计: ¥4.14294	添加到BOM 立即询价
DMN12M7UCA10-7 达尔科技 (Diodes rporated)	场效应管类型: 2个N通道（双通道）场效应管特性: 标准漏源电流 (Id) @ 温度: 20.2A（Ta）供应商设备包装: X4-DSN3015-10 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥2.71283	0	5-7 工作日	- + 合计: ¥13,564.14000	添加到BOM 立即询价
SP8J2TB 罗姆 (Rohm)	MOSFET 2P-CH 30V 4.5A 8-SOIC	¥9.48820	1370	5-7 工作日	- + 合计: ¥9.48820	添加到BOM 立即询价
SI4914BDY-T1-E3 黑森尔 (Vishay Siliconix)	场效应管类型: 2 N通道（半桥）场效应管特性: 标准漏源电压标 (Vdss): 30伏漏源电流 (Id) @ 温度: 8.4A, 8A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥4,207.12248	9000	5-7 工作日	- + 合计: ¥4,207.12248	添加到BOM 立即询价
MCQ4559-TP 微型商业组件 (Micro)	场效应管类型: N和P通道漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.5A, 3.5A 供应商设备包装: 8-SOP 工作温度: 150摄氏度（TJ）	¥2.71609	0	5-7 工作日	- + 合计: ¥86,914.81600	添加到BOM 立即询价
SH8M2TB1 罗姆 (Rohm)	场效应管类型: N和P通道场效应管特性: 标准漏源电压标 (Vdss): 30伏漏源电流 (Id) @ 温度: 3.5A 供应商设备包装: 8-SOP 工作温度: 150摄氏度（TJ）	¥6.59104	174	5-7 工作日	- + 合计: ¥6.59104	添加到BOM 立即询价
SI4916DY-T1-GE3 黑森尔 (Vishay Siliconix)	场效应管类型: 2 N通道（半桥）场效应管特性: 逻辑电平门漏源电压标 (Vdss): 30伏漏源电流 (Id) @ 温度: 10A、10.5A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥641.70645	9000	5-7 工作日	- + 合计: ¥641.70645	添加到BOM 立即询价
DMTH4014LPD-13 达尔科技 (Diodes rporated)	场效应管类型: 2个N通道（双通道）场效应管特性: 标准漏源电压标 (Vdss): 40伏漏源电流 (Id) @ 温度: 10.6A（Ta），43.6A（Tc）供应商设备包装: PowerDI5060-8 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）	¥2.71710	0	5-7 工作日	- + 合计: ¥6,792.75500	添加到BOM 立即询价
SI4920DY-T1-GE3 黑森尔 (Vishay Siliconix)	场效应管类型: 2个N通道（双通道）场效应管特性: 逻辑电平门漏源电压标 (Vdss): 30伏供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥4.47611	9000	5-7 工作日	- + 合计: ¥4.47611	添加到BOM 立即询价
SH8K22TB1 罗姆 (Rohm)	MOSFET 2N-CH 45V 4.5A SOP8	¥922.00668	9000	5-7 工作日	- + 合计: ¥922.00668	添加到BOM 立即询价

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