场效应晶体管 (FET) 是利用电场控制电流的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极晶体管,因为它们涉及单载流子类型操作。也就是说,FET 在其工作中使用电子或空穴作为电荷载流子,但不能同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下表现出非常高的输入阻抗。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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场效应管类型: 3 N通道(相支路+升压斩波器) 场效应管特性: 超级结 漏源电压标 (Vdss): 600V 漏源电流 (Id) @ 温度: 36A 供应商设备包装: SP1 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥7.50364 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7.50364 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 55V 漏源电流 (Id) @ 温度: 150A 供应商设备包装: 异戊二醇 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥10.24146 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥10.24146 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: N和P通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6A, 7A 供应商设备包装: 8-SOP 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥7.17047 | 36 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7.17047 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 220毫安 供应商设备包装: SOT-963 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥1.92878 | 100 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥1.92878 | 立即购买 加入购物车 | ||
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.8A(Ta) 供应商设备包装: TSOT-23 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥1.07405 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3,222.15000 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7A 供应商设备包装: 8-ECH 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥7.44570 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7.44570 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IRFU024A - 55V P-CHANNEL HEXFET | ¥5.86675 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5.86675 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥5.27283 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5.27283 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏、8伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 630毫安, 775毫安 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥10.61809 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥10.61809 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 180A 供应商设备包装: 异戊二醇 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥22.36028 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥22.36028 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.7A 供应商设备包装: SuperSOT-6. 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥4.27331 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4.27331 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.6A (Ta) 供应商设备包装: TSOT-23 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥1.07405 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3,222.15000 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.8A, 4.3A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥7.27912 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥29,116.46000 | 添加到BOM 立即询价 | ||
COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥118.36347 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥118.36347 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 3 N通道(相支路+升压斩波器) 场效应管特性: 超级结 漏源电压标 (Vdss): 600V 漏源电流 (Id) @ 温度: 36A 供应商设备包装: SP1 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥6.34478 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6.34478 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 供应商设备包装: EFCP1818-4CC-037 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥5.99712 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5.99712 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥10.57463 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥10.57463 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 880毫安 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥14.74654 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥14.74654 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.7A(Ta) 供应商设备包装: 6-HUSON (2x2) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥1.07666 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3,229.97100 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.5A 供应商设备包装: 8-SO 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥2.00991 | 2385 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥2.00990 | 立即购买 加入购物车 |