场效应晶体管 (FET) 是利用电场控制电流的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极晶体管,因为它们涉及单载流子类型操作。也就是说,FET 在其工作中使用电子或空穴作为电荷载流子,但不能同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下表现出非常高的输入阻抗。
图片  | 品牌型号  | 描述  | 价格  | 库存  | 交期  | 数量  | 操作  | 
|---|---|---|---|---|---|---|---|
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 2A(Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)   | ¥5.07003  | 5000 | 5-7 工作日  | -  +  合计: ¥2,185.18293  | 添加到BOM  立即询价  | ||
场效应管类型: N和P通道互补 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.1A、700毫安 供应商设备包装: X2-DFN1310-6 (Type B) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)   | ¥3.83874  | 23340 | 5-7 工作日  | -  +  合计: ¥3.83874  | 添加到BOM  立即询价  | ||
场效应管类型: 2 N通道(双)公共漏极 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 10A(Ta) 供应商设备包装: 6-WLCSP (1.3x2.3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)   | ¥0.86915  | 20000 | 5-7 工作日  | -  +  合计: ¥2,089.43179  | 添加到BOM  立即询价  | ||
场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.8A (Ta), 2.7A (Ta) 供应商设备包装: SuperSOT-8. 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)   | ¥5.14246  | 39000 | 5-7 工作日  | -  +  合计: ¥2,185.54508  | 添加到BOM  立即询价  | ||
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 350毫安 供应商设备包装: SOT-563F 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)   | ¥1.15886  | 133062 | 5-7 工作日  | -  +  合计: ¥2,112.60907  | 添加到BOM  立即询价  | ||
P-CHANNEL SILICON MOSFET   | ¥5.14246  | 17000 | 5-7 工作日  | -  +  合计: ¥2,185.54508  | 添加到BOM  立即询价  | ||
场效应管类型: 2 N通道(双)公共漏极 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 10.7A(Ta) 供应商设备包装: PowerDI3333-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)   | ¥4.70789  | 5900 | 5-7 工作日  | -  +  合计: ¥4.70789  | 添加到BOM  立即询价  | ||
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 50V 漏源电流 (Id) @ 温度: 100毫安 供应商设备包装: SC-59 工作温度: 150摄氏度(TJ)   | ¥1.15886  | 54000 | 5-7 工作日  | -  +  合计: ¥2,240.08411  | 添加到BOM  立即询价  | ||
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.5A (Ta) 供应商设备包装: 8-SOP 工作温度: 150摄氏度(TJ)   | ¥5.35975  | 3090 | 5-7 工作日  | -  +  合计: ¥5.35975  | 添加到BOM  立即询价  | ||
场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.2A, 4.3A 供应商设备包装: 8-SO   | ¥1.44858  | 14637 | 5-7 工作日  | -  +  合计: ¥2,200.39302  | 添加到BOM  立即询价  | ||
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.4A 供应商设备包装: 8-TSSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)   | ¥5.21489  | 19149 | 5-7 工作日  | -  +  合计: ¥2,185.03807  | 添加到BOM  立即询价  | ||
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.9A 供应商设备包装: 8-SO 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)   | ¥0.88653  | 2368 | 2-3 工作日  | -  +  合计: ¥0.88653  | 立即购买  加入购物车  | ||
场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 220毫安、120毫安 供应商设备包装: SuperSOT-6. 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)   | ¥1.59344  | 382599 | 5-7 工作日  | -  +  合计: ¥2,168.66912  | 添加到BOM  立即询价  | ||
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.5A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)   | ¥5.21489  | 12067 | 5-7 工作日  | -  +  合计: ¥2,185.03807  | 添加到BOM  立即询价  | ||
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 17A(Tc)、30A(Tc) 供应商设备包装: 8-Power33 (3x3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)   | ¥5.50460  | 4999 | 5-7 工作日  | -  +  合计: ¥5.50460  | 添加到BOM  立即询价  | ||
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 120毫安 供应商设备包装: SuperSOT-6. 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)   | ¥1.81073  | 192629 | 5-7 工作日  | -  +  合计: ¥2,138.46623  | 添加到BOM  立即询价  | ||
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.3A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)   | ¥5.21489  | 8482 | 5-7 工作日  | -  +  合计: ¥2,185.03807  | 添加到BOM  立即询价  | ||
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12.2A(Ta) 供应商设备包装: V-DFN2050-4 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)   | ¥2.59006  | 93 | 2-3 工作日  | -  +  合计: ¥2.59006  | 立即购买  加入购物车  | ||
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.1A 供应商设备包装: 6-MicroFET (2x2) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)   | ¥1.95558  | 92860 | 5-7 工作日  | -  +  合计: ¥2,205.89762  | 添加到BOM  立即询价  | ||
TRANS MOSFET N-CH 30V 3PIN(3+TAB   | ¥5.21489  | 3585 | 5-7 工作日  | -  +  合计: ¥2,185.03807  | 添加到BOM  立即询价  |