预偏置双极晶体管具有内部电阻,旨在不施加输入信号的情况下将器件维持在偏置或工作点附近。晶体管偏置使晶体管能够更有效地工作并产生稳定、不失真的输出信号。预偏置晶体管减少了所需的外部电路元件的数量,从而降低了项目成本。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR | ¥0.21649 | 18000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,439.64835 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 130兆赫 供应商设备包装: PG-SOT23 | ¥1.73194 | 23761 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.73194 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: PG-SOT23 | ¥0.35061 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥1,051.82700 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类别: NPN-预偏置+二极管 最大集电极电流 (Ic): 500 mA 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SST3 | ¥1.80410 | 3000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.80410 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 230毫瓦 供应商设备包装: SC-59 | ¥0.35539 | 2155 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.35539 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236) | ¥0.22475 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥2,343.67214 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 500 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SOT-23-3 | ¥1.87626 | 46985 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.87626 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: UMT3F | ¥0.35866 | 3000 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.35866 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 246毫瓦 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236) | ¥0.43501 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.43501 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: VMT3 | ¥0.11907 | 1000 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.11907 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: EMT3 | ¥0.07794 | 2125 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.07794 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 80 V 最大功率: 250毫瓦 特征频率: 150兆赫 供应商设备包装: TO-236AB | ¥1.58761 | 35708 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.58761 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 50 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: EMT3 | ¥0.26051 | 499 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.26051 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 80 V 最大功率: 250毫瓦 特征频率: 170兆赫 供应商设备包装: TO-236AB | ¥0.32895 | 3000 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.32895 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 500 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 250毫瓦 供应商设备包装: TO-236AB | ¥0.42728 | 3060 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.42728 | 立即购买 加入购物车 | ||
BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR | ¥0.28866 | 1015547 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,226.40373 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 246毫瓦 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236) | ¥0.33773 | 3000 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.33773 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: UMT3 | ¥0.37381 | 190 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.37381 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SOT-523F | ¥0.28866 | 860528 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,081.78707 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: EMT3 | ¥0.12773 | 150 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.12773 | 立即购买 加入购物车 |